[发明专利]清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统

权利要求书

1.一种对图案化设备进行清洁的方法，所述图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料(OLED材料)，

所述方法的特征在于，

所述方法包括这样的步骤：提供清洁等离子体，以通过等离子体刻蚀处理从所述图案化设备除去所述涂敷材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述步骤过程中，所述图案化设备的温度不超过120℃，特别是100℃，特别是80℃。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述步骤过程中，所述图案化设备的温度不超过给所述图案化设备造成破坏的临界温度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述步骤过程中，维持至少0.2μm/min的等离子体刻蚀率，特别是0.5μm/min，特别是1μm/min，特别是2μm/min，特别是2.5μm/min。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

用于从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述等离子体是通过使活化气体活化而产生的，所述活化气体用于在活化区域中产生所述等离子体，在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的处理过程中，所述图案化设备被放置在所述活化区域之外。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

所述方法包括：在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述步骤过程中，提供脉冲能量以产生脉冲的清洁等离子体。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

所述清洁等离子体是通过将RF和/或HF和/或微波辐射引入等离子体活化区域中而产生的。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述处理是在清洁室中执行的，所述清洁室的内部压力小于10mbar，特别是5mbar，特别是1mbar，特别是0.1mbar。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

所述方法是在与OLED涂敷室分开的清洁室中执行的。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

所述清洁等离子体是由混合物产生的等离子体，所述混合物是至少氧气(O₂)与含卤化物的分子的混合物。

11.一种在衬底上沉积层系统的方法，所述层系统优选地包括至少一个包括有机发光半导体材料的层，所述方法包括下列步骤：

将所述衬底布置在涂敷室中，所述涂敷室具有用于提供涂敷材料的源，所述涂敷材料将被沉积在所述衬底上；

在所述衬底与所述源之间提供图案化设备；

在所述衬底上沉积层，所述层包括有机发光半导体材料；

从所述涂敷室除去所述图案化设备并将所述图案化设备布置在清洁室中；以及

执行根据前述权利要求1至10中任一项所述的清洁方法，以从所述图案化设备除去涂敷材料。

12.一种用于对图案化设备进行清洁的系统，所述图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料，所述系统包括：用于提供清洁等离子体的等离子体源，所述清洁等离子体用于通过等离子体刻蚀处理从所述图案化设备除去所述涂敷材料。

13.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，

所述系统包括用于将所述图案化设备的温度维持为不超过120℃，特别是100℃，特别是80℃的装置。

14.根据权利要求12或13所述的系统，其特征在于，

所述系统包括用于将所述图案化设备的温度维持为不超过给所述图案化设备造成破坏的临界温度的装置。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其特征在于，

所述等离子体源是至少使活化区域中的活化气体活化的远程等离子体源，在所述刻蚀处理过程中，所述图案化设备被放置在所述活化区域之外。