[发明专利]离子阱、质量分析计、离子迁移率分析计有效
申请号: | 200810109182.0 | 申请日: | 2008-05-23 |
公开(公告)号: | CN101335177A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 马场崇;佐竹宏之;永野久志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01J49/40 | 分类号: | H01J49/40;H01J49/42;H01J49/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 曲瑞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 质量 分析 离子迁移率 | ||
1.一种质量分析计,其特征在于,具有:
离子阱,该离子阱具有:具备第1电极和第2电极的电极部;电源,对上述第1电极和上述第2电极中的某一方施加交流电压,对另一方施加直流电压;和控制从上述电源施加的电压的控制部;以及
对上述电极部的电流进行检测的电流检测单元,
其中,一边由上述控制部对从上述电源施加的电压进行扫描,一边由上述电流检测单元对电流进行测量,从而取得由上述电极部捕捉的离子的质谱。
2.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,对上述第1电极和上述第2电极施加电压,使得在上述第1电极和上述第2电极之间,按照基于质量电荷比M/X的大小的分布来捕捉离子。
3.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,上述第1电极和上述第2电极中的某一方为球状电极,另一方为包围上述球状电极的中空球电极。
4.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,上述直流电压为静电压,上述交流电压为高频电压。
5.根据权利要求1所述的计质量分析,其特征在于,由上述控制部对从上述电源施加的交流电压和直流电压进行控制,从而形成电势的极小值,并在上述第1电极和上述第2电极之间捕捉带电粒子。
6.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,还具有低真空用真空排气单元作为真空排气单元。
7.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,一边由上述控制部对从上述电源施加的交流电压从大的一侧到小的一侧进行扫描,一边由上述电流检测单元对电流进行测量。
8.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,一边对从上述电源施加的直流电压从大的一侧到小的一侧进行扫描,一边由上述电流检测单元对电流进行测量。
9.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,由上述控制部对交流电压的振幅值进行控制,从而使由上述离子阱捕捉的离子中的特定M/Z范围的离子离析。
10.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,由上述控制部对直流电压值进行控制,从而使由上述离子阱捕捉的离子中的特定M/Z范围的离子离析。
11.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,上述控制部将频率设定成2MHz以上。
12.根据权利要求1所述的质量分析计,其特征在于,上述第1电极和上述第2电极中的某一方为圆柱电极,另一方为与上述圆柱电极共用轴并包围上述圆柱电极的圆筒电极。
13.根据权利要求12所述的质量分析计,其特征在于,在上述电极部的两端设置端电极,上述电源还对上述端电极施加静电压。
14.根据权利要求12所述的质量分析计,其特征在于,上述圆筒电极具有在两端短路的端电极,上述电源还对上述端电极施加静电压。
15.根据权利要求12所述的质量分析计,其特征在于,上述圆柱电极和上述圆筒电极的半径在轴向上是恒定的。
16.一种离子迁移率分析计,其特征在于,具有:
离子阱,该离子阱具有:电极部,具备圆柱电极和与上述圆柱电极共用轴并包围上述圆柱电极的圆筒电极;电源,对上述圆柱电极和上述圆筒电极中的某一方施加交流电压,对另一方施加直流电压;和控制从上述电源施加的电压的控制部;以及
对上述电极部的电流进行检测的电流检测单元,
其中,上述控制部使具有特定M/Z的离子离析,针对被离析的离子,使从上述电源施加的电压从ON状态变为OFF,并由上述电流检测单元对电流进行测量,从而测量出由上述电极部捕捉的离子的迁移率。
17.根据权利要求16所述的离子迁移率分析计,其特征在于,上述控制部使上述电源的直流电压从ON状态变为OFF,上述电流检测单元对上述圆筒电极的电流进行测定。
18.根据权利要求16所述的离子迁移率分析计,其特征在于,上述控制部使上述电源的交流电压从ON状态变为OFF,上述电流检测单元对上述圆柱电极的电流进行测定。
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