[发明专利]具有编码器型位置传感器系统的光刻设备有效

专利信息
申请号: 200810109166.1 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101359182A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 皮特·保罗·斯汀贾尔特;威尔赫尔姆斯·约瑟夫斯·鲍克斯;艾米爱尔·尤泽夫·梅勒妮·尤森;埃瑞克·罗埃劳夫·鲁普斯卓;恩格尔伯塔斯·安东尼尔斯·弗朗西斯克斯·范德帕斯克;鲁德·安东尼尔斯·卡萨丽娜·玛丽亚·比伦斯;埃尔伯塔斯·亚得里亚内斯·史密特斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 编码器 位置 传感器 系统 光刻 设备
【权利要求书】:

1.一种光刻设备,所述光刻设备包括:

照射系统,所述照射系统被配置用于调节辐射束;

支撑件,所述支撑件被构造用于保持图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束,以形成图案化的辐射束;

衬底台,所述衬底台被构造用于保持衬底;

投影系统,所述投影系统被配置用于将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上;以及

编码器型传感器系统,所述编码器型传感器系统被配置用于测量衬底台相对于参考结构的位置,所述编码器型传感器系统包括编码器传感器头和编码器传感器目标,且所述光刻设备包括用于容纳所述编码器传感器目标的凹陷。

2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述凹陷被设置在参考结构中或参考结构上。

3.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述凹陷由参考结构和围绕结构形成,所述围绕结构与参考结构的面对编码器传感器目标的表面相连,所述围绕结构至少部分地包围编码器传感器目标的、在衬底台的运动的主平面中所见的侧部。

4.根据权利要求3所述的光刻设备,包括在编码器传感器目标和凹陷之间的间隙。

5.根据权利要求4所述的光刻设备,其中在编码器传感器目标和参考结构之间的间隙小于1毫米。

6.根据权利要求4所述的光刻设备,其中在编码器传感器目标的侧部和围绕结构之间的间隙是1到2毫米的量级。

7.根据权利要求3所述的光刻设备,其中所述参考结构、围绕结构或参考结构和围绕结构两者设置有冷却通道,所述冷却通道用于循环温度稳定化流体。

8.根据权利要求7所述的光刻设备,其中所述流体为液体。

9.根据权利要求3所述的光刻设备,其中所述围绕结构包括铝。

10.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述参考结构包括面对编码器传感器目标的后侧的至少一部分的铝元件,在所述铝元件和所述编码器传感器目标的后侧之间的间隙小于50微米。

11.根据权利要求2所述的光刻设备,还包括透镜调节器,所述透镜调节器被配置用于调节投影系统的下游透镜,所述透镜调节器被配置用于提供所述凹陷的侧部。

12.根据权利要求11所述的光刻设备,其中在透镜调节器与编码器传感器目标的面对透镜调节器的侧部之间的间隙为毫米量级或更小。

13.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述位置位于衬底台的运动的主平面中。

14.一种光刻设备,所述光刻设备包括:

照射系统,所述照射系统被配置用于调节辐射束;

支撑件,所述支撑件被构造用于保持图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束,以形成图案化的辐射束;

衬底台,所述衬底台被构造用于保持衬底;

投影系统,所述投影系统被配置用于将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上;

编码器型传感器系统,所述编码器型传感器系统被配置用于测量衬底台相对于参考结构的位置,所述编码器型传感器系统包括编码器传感器头和编码器传感器目标;以及

气源,所述气源被配置用于将经过调节的气流提供给所述编码器传感器目标的表面,所述表面基本平行于衬底台的运动的主平面。

15.一种光刻设备,所述光刻设备包括:

照射系统,所述照射系统被配置用于调节辐射束;

支撑件,所述支撑件被构造用于保持图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束,以形成图案化的辐射束;

衬底台,所述衬底台被构造用于保持衬底;

投影系统,所述投影系统被配置用于将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上;以及

编码器型传感器系统,所述编码器型传感器系统被配置用于测量衬底台相对于参考结构的位置,所述编码器型传感器系统包括编码器传感器头和编码器传感器目标,

其中所述光刻设备被配置用于在闲置的时间周期中使衬底台沿着所述衬底台的运动的主平面运动,所述衬底台的运动用于防止所述编码器传感器目标被来自衬底台的热量局部加热。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810109166.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top