[发明专利]凹入式沟道晶体管结构

权利要求书

1.一种凹入式沟道晶体管结构，包含有：

半导体基底；

沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出有源区域；

栅极沟槽，设于该有源区域中，其中该栅极沟槽包含垂直侧壁部分以及球型底部；

凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，且该凹入式栅极包含球型栅极下部，位于该球型底部；

栅极氧化层，位于该球型底部，介于该半导体基底与该球型栅极下部之间；

源极掺杂区，位于该凹入式栅极一侧的该有源区域中；

漏极掺杂区，位于该凹入式栅极另一侧的该有源区域中；以及

沟道区域，介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间，其中该沟道区域从栅极沟道宽度方向来看，为上凸的曲面轮廓。

2.如权利要求1所述的凹入式沟道晶体管结构，其中该球型栅极下部从栅极沟道宽度方向来看，为弯曲的哑铃形状。

3.如权利要求2所述的凹入式沟道晶体管结构，其中在该沟道区域的最高点位置，该球型栅极下部的曲率半径为r₁，在该沟道区域的相对较低点位置，该球型栅极下部的曲率半径为r₂，其中r₂≥r₁。

4.如权利要求1所述的凹入式沟道晶体管结构，其中该沟道区域于该栅极沟道宽度方向上另包含有垂直侧壁。

5.如权利要求4所述的凹入式沟道晶体管结构，其中该凹入式栅极另包含延伸部位，设于该垂直侧壁上。

6.如权利要求5所述的凹入式沟道晶体管结构，其中该延伸部位伸入该沟槽绝缘区域。

7.如权利要求1所述的凹入式沟道晶体管结构，其中该凹入式栅极包含多晶硅、金属或者其组合。

8.如权利要求1所述的凹入式沟道晶体管结构，其中该凹入式栅极，从栅极沟道长度方向观之，具有圆底烧瓶剖面。

9.如权利要求1所述的凹入式沟道晶体管结构，其中该凹入式沟道晶体管结构与设置在其邻近位置的深沟槽电容结构，共同组成一个存储器单元胞。