[发明专利]薄膜晶体管基板和显示器件有效
| 申请号： | 200810108563.7 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101330102A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 日野绫;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管基板，其具有薄膜晶体管的半导体层和源-漏电极， 其特征在于，
所述源-漏电极由含有氧的含氧层、和纯Cu或Cu合金的薄膜构成，
构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导 体层的Si相结合，所述含氧层通过对所述半导体层的上部进行氧化处理而 形成，
所述纯Cu或Cu合金的薄膜经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半 导体层连接，
并且，构成所述含氧层的氧原子数[O]和Si原子数[Si]的比[O]/[Si] 的最大值在0.3以上2.0以下但不包括2.0的范围内，所述含氧层的厚度在 0.17nm以上2.7nm以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜 晶体管的所述半导体层由非晶硅或多晶硅构成。
3.一种显示器件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的薄膜晶 体管基板。
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