[发明专利]层叠构造及其制造方法有效
| 申请号： | 200810108560.3 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101335203A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕史;越智元隆;武富雄一;川上信之 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/84;H01L23/532;H01L29/43;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1343;H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 构造 及其 制造 方法 | ||
1.一种层叠构造的制造方法，制造由氧化物透明导电膜和Al合金膜直接连接而成的层叠构造，其特征在于，具有：
在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、
在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、
将所述Al合金膜加热到由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上的第三工序。
2.如权利要求1所述的层叠构造的制造方法，其特征在于，在所述第二工序结束后，进行所述第三工序的加热。
3.如权利要求1所述的层叠构造的制造方法，其特征在于，在所述第二工序正在进行的同时，进行所述第三工序的加热。
4.如权利要求1所述的层叠构造的制造方法，其特征在于，离子化倾向比铝小的所述合金成分为Ni，Ni的含量为0.1～6原子％，所述第三工序中的加热温度为200℃以上。
5.如权利要求2所述的层叠构造的制造方法，其特征在于，离子化倾向比铝小的所述合金成分为Ni，Ni的含量为0.1～6原子％，述第三工序中的加热温度为200℃以上。
6.如权利要求3所述的层叠构造的制造方法，其特征在于，离子化倾向比铝小的所述合金成分为Ni，Ni的含量为0.1～6原子％，所述第三工序中的加热温度为200℃以上。
7.如权利要求1所述的层叠构造的制造方法，其特征在于，离子化倾向比铝小的所述合金成分为Ni，Ni的含量为0.1～6原子％，所述第三工序中的加热温度为200℃以上。
8.一种层叠构造，其特征在于，是具有形成于基板上的氧化物透明导电膜和直接连接于该氧化物透明导电膜上的Al合金膜的布线结构，其中，所述Al合金膜含有离子化倾向比铝小的合金成分，并且由铝和所述合金成分构成的金属间化合物在与所述氧化物透明导电膜的连接界面析出。
9.如权利要求8所述的层叠构造，其特征在于，离子化倾向比铝小的所述合金成分为Ni，Ni的含量为0.1～6原子％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
