[发明专利]单晶的制造方法

权利要求书

1.一种在切克劳斯基方法中将水平磁场施加到容纳在坩埚中的原料熔体上、由原料熔体制造单晶的方法，其中：

将所述水平磁场的磁场中心设定在低于所容纳原料熔体的液面多于50mm、并且等于或小于90mm的位置；并且，

抽拉单晶，同时通过控制所述坩埚的垂直位置而保持所述液面的位置不变，以及保持所述磁场中心的位置不变，并且，该磁场中心位置的与所述液面的不变距离H等于或小于在完成所述单晶的不变直径部分抽拉时残留在坩埚中的原料熔体液面深度L。