[发明专利]单片陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及一种单片陶瓷电容器(monolithic ceramic capacitor)。 更具体地，本发明涉及一种布置成减小等价直列电感(equivalent series inductance，ESL)的多端子单片陶瓷电容器。

背景技术

在电源电路中，电源线或地中存在的阻抗会引起电源线的电压变化的 增加，这可导致待驱动的电路的工作不稳定，通过电源电路的电路之间的 干扰，或振荡。为了说明该问题，去耦电容器(decoupling capacitor) 通常连接在电源线和地之间。去耦电容器用于减小电源线和地之间的阻 抗，以便抑制电源电压的变化或电路之间的干扰。

近来，在移动电话等通信装置或个人计算机等信息处理装置中，信号 传输的速度增加到处理大量信息，这里使用的集成电路(IC)的时钟频率也 增加。因此，容易产生包括大量的谐波成分(harmonic components)的 噪声，因此必须为IC电源电路提供更有效的去耦。

为了增加去耦效果，使用具有优良阻抗-频率特性的去耦电容器是有 效的。这种去耦电容器的实例为单片陶瓷电容器。因为它们具有低的ESL， 因此，与电解电容器相比，单片陶瓷电容器在宽频带范围内具有优异的吸 噪效果。

例如，日本未审查专利申请公开公报No.2003-318066公开了这种适 用于去耦的单片陶瓷电容器。在该公开的单片陶瓷电容器中，给电容阵列 中的一些电容器施加电势以使电流在特定方向上流动，同时给其它电容器 施加另一电势以使电流在相反方向上流动，从而使流过两个电容器的电流 所产生的磁场能够被消除，以便减小ESL。

然而，日本未审查专利申请公开公报No.2003-318066中公开的单片 陶瓷电容器具有如下问题。

首先，在经焊点安装在布线衬底上的单片陶瓷电容器中，由于焊点的 开裂等缺陷，特定的外部端子电极和导电带(conductive land)之间可 能会出现分离。在该情况下，难以获得对应于与已经出现分离的外部端子 电极结合的阵列的电容。因此，电容会被极大地降低。即使仅一个焊点开 裂，对应于“阵列数量的倒数”的电容被降低。

另一个问题是测量单片陶瓷电容器的总电容很耗时。单片陶瓷电容器 的总电容等于独立电容阵列的电容的总和。因此，通过测量每个电容阵列 的电容并求和，可知道总电容，或者通过测量在所有的外部端子电极连接 到布线衬底或任何其它衬底上的状态下的电容，来知道总电容。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种能够解决上述问题的单片陶瓷电容 器。

根据本发明的优选实施例，单片陶瓷电容器包括电容器主体，所述电 容器主体包括多个层叠的陶瓷层并且具有第一主表面、面对第一主表面的 第二主表面和连接第一主表面和第二主表面的侧表面。

多个第一外部端子电极和多个第二外部端子电极设置在电容器主体 的侧表面上，所述多个第一外部端子电极中的每个连接到第一电势，所述 多个第二外部端子电极中的每个连接到第二电势。

设置在电容器主体内的第一、第二、第三和第四内部电极。第一内部 电极电连接到至少一个第一外部端子电极，第二内部电极电连接到至少一 个第二外部端子电极，第三内部电极电连接到至少一个第一外部端子电 极，并且第四内部电极电连接到至少一个第二外部端子电极。

一个或更多个第一电容器，所述一个或更多个第一电容器设置在电容 器主体的内部，每个第一电容器具有通过设置第一内部电极和第二内部电 极所形成的电容，在第一内部电极和第二内部电极之间具有特定一个陶瓷 层。一个或更多个第二电容器，所述一个或更多个第二电容器设置在电容 器主体的内部以便布置成在陶瓷层的俯视图中与第一电容器相邻，每个第 二电容器具有通过设置第三内部电极和第四内部电极所形成的电容，在第 三内部电极和第四内部电极之间具有特定一个陶瓷层。

单片陶瓷电容器还包括设置在电容器主体的内部的第一相同极性连 接导体，所述至少一个第一相同极性连接导体延伸过从第一电容器和第二 电容器中选择的两个或更多个电容器，并且电连接到多个第一外部端子电 极中的两个或更多个。

优选地，单片陶瓷电容器连接到外部电路以使电流流过内部电极，从 而使得流过同一陶瓷层上的相邻的内部电极的至少相对部分的电流的方 向相反。