[发明专利]含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法

权利要求书

1.一种含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，包括：

提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层，所述半导体衬底和层间介质层包括第一区域，第二区域和第三区域，所述第一区域用于形成半导体器件的外围电路，第二区域用于形成半导体器件，第三区域用于形成第二区域中所述半导体器件的互连结构，所述层间介质层的第一区域、第二区域和第三区域都形成有金属布线结构；

在层间介质层上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层；

去除第二区域的第二绝缘层；

以第二绝缘层为掩膜，去除第二区域的第一绝缘层，未去除的第一绝缘层和第二绝缘层共同构成绝缘结构；

在第二区域的金属布线结构上形成存储介质层；

形成位于第一区域、第二区域以及第三区域，并且完全覆盖层间介质层、绝缘结构和存储介质层的导电层；

刻蚀第一区域的导电层，暴露出第一区域的绝缘结构；

在第一区域的绝缘结构以及第二区域和第三区域的导电层上形成刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成第二层间介质层；

在第一区域和第三区域的第二层间介质层内形成连接开口，所述连接开口暴露出刻蚀停止层；

以层间介质层为掩膜，完全去除第一区域的连接开口内的刻蚀停止层和绝缘结构，暴露出第一区域的金属布线结构，去除第三区域的连接开口内的刻蚀停止层，暴露出导电层；

在第一区域和第三区域的连接开口内填充导电材料，形成互连结构。

2.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述第一绝缘层为碳化硅、氮化硅或者氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述第一绝缘层厚度为20nm至70nm。

4.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述第二绝缘层为氧化硅或者正硅酸己酯或者氟硅玻璃。

5.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述第二绝缘层厚度为30nm至70nm。

6.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，以第二绝缘层为掩膜，去除第二区域的第一绝缘层的工艺为干法刻蚀工艺，所述刻蚀剂对第一绝缘层的刻蚀速率大于对第二绝缘层的刻蚀速率。

7.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述存储介质层是通过氧化形成所述金属布线结构的金属形成的具有二元电阻特性的介质薄膜。

8.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述存储介质层是通过沉积工艺形成的具有二元电阻特性的介质薄膜。

9.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述导电层为金属铝、氮化钛或者氮化钽中的一种或者一种以上材料的复合结构。

10.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法，其特征在于，所述导电层厚度为50nm至200nm。