[发明专利]一种光探测器有效
| 申请号: | 200810104505.7 | 申请日: | 2008-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN101261158A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 刘昊;赵嵩卿;周娜;赵卉;高磊;王爱军;赵昆 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
| 主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;G01J11/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 探测器 | ||
1.一种光探测器,包括:
光传感器;
连接所述光传感器的第一电极和第二电极;以及
第一电极引线和第二电极引线,该第一电极引线和第二电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接,另一端作为输出端;
其特征在于:
所述光传感器的光响应材料为铝酸锶镧单晶片、铝酸锶镧单晶薄膜或铝酸锶镧多晶薄膜,所述单晶薄膜或多晶薄膜制备在基底上。
2.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于,该光探测器还包括外壳;
所述光传感器、第一电极、第二电极、第一引线及第二引线设置于所述外壳内,所述输出端通过同轴电缆接头从所述外壳引出。
3.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于,该光探测器还包括:
连接于所述第一电极引线和第二电极引线之间的电阻。
4.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于:
所述电阻为0.01欧姆~1兆欧姆。
5.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于:
所述铝酸锶镧单晶片的光入射表面经斜切且抛光处理。
6.根据权利要求5所述的光探测器,其特征在于:
斜切的角度为0~45度。
7.根据权利要求5所述的光探测器,其特征在于:
铝酸锶镧单晶片为矩形片,斜切的方向平行于所述矩形片的一个边。
8.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于:
所述光传感器的光响应频段为紫外光频段。
9.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于:
所述第一电极及第二电极为点电极、条形电极、插指电极或同轴的圆形电极。
10.根据权利要求1所述的光探测器,其特征在于:
所述两引线之间连接有放大电路,以放大所述光传感器产生的光伏特信号。
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