[发明专利]利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法

权利要求书

1.一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，该方法包括：

A、在基片上涂布S18系列的光刻胶；

B、将带有光刻胶的基片在显影液中浸泡，显影液含有2％的四甲基氢氧化铵，不含有氯苯；

C、在低温下烘烤；

D、曝光；

E、在较高温度下烘烤；

F、显影。

2.根据权利要求1所述的制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，步骤A中所述S18系列的光刻胶，包括这个系列中各种型号和厚度的光刻胶，所述光刻胶厚度可通过不同型号光刻胶的选择和调节旋涂时的转速来实现。

3.根据权利要求1所述的制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，所述步骤B包括：

将带有S18系列光刻胶的基片放在显影液中浸泡，浸泡时间为10至40秒，浸泡后用去离子水冲洗3至60秒，然后用氮气吹干。

4.根据权利要求1所述的制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，步骤C中所述烘烤采用烘箱、热板或合金处理炉，温度在50摄氏度到120摄氏度之间，以使被显影液浸泡部分的光刻胶硬化。

5.根据权利要求1所述的制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，步骤D中所述曝光采用光学曝光或投影式曝光机以形成所需图形，曝光时间选择3至20秒。

6.根据权利要求1所述的制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，步骤E中所述烘烤采用烘箱、热板或合金处理炉，温度在80摄氏度到130摄氏度之间，以除去光刻胶中的溶剂。

7.根据权利要求1所述的制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，所述步骤F包括：

将烘烤后的基片放在显影液中浸泡，浸泡时间为30至300秒，得到图形后用去离子水冲洗干净，并用氮气吹干。