[发明专利]液晶显示装置的阵列基板及排列基板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置的阵列基板，特别涉及非正常关机时抗残像性高的液晶显示装置的阵列基板。

背景技术

液晶显示装置是一种主要的平面显示装置，主要由阵列基板、彩膜基板和给阵列基板提供信号的时序控制器构成，利用了位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶随电场排列的原理，显示了画面。

在现有技术中，液晶显示装置的像素通常设有一个薄膜晶体管，并且出现非正常关机时，由于不能及时地释放电压，在画面留有残像。或者出现非正常关机后马上开机时，在画面显示之前画面的缺陷。具体为：在关闭液晶显示装置的电源时，时序控制器(Time Controller，以下简称为T-Con)的输出会持续一段时间，使得在这段时间内产生的残余信号(栅线残余信号和数据线残余信号)输入到薄膜晶体管。扫描第n-1号栅线时关闭了电源，则从第n号栅线开始输入残余信号，在第n号栅线，栅线残余信号导通相应的薄膜晶体管，像素单元可以接收数据线残余信号。

具体为：非正常关机时产生的栅线残余信号导通薄膜晶体管之后，像素单元不能及时地释放电压，因而在面板上出现亮块(white block)的或者是暗块(dark block)等残像。

发明内容

本发明的目的是提供一种液晶显示装置的阵列基板，克服了现有的液晶显示装置在非正常关机时出现残像现象的缺陷，实现了非正常关机时抗残像性高的液晶显示装置。

为实现上述目的，本发明提供了液晶显示装置的阵列基板，包括多个像素，所述每个像素包括与对应的栅线和对应的数据线连接的第一薄膜晶体管以及与所述第一薄膜晶体管连接的像素电极，所述每个像素还包括第二薄膜晶体管；第二薄膜晶体管与连接有第一薄膜晶体管的栅线的前一行栅线连接，并且与连接有第一薄膜晶体管的数据线和像素电极连接。

其中，所述第二薄膜晶体管的电阻大于第一薄膜晶体管的电阻。

其中，第一薄膜晶体管的过道长度大于第二薄膜晶体管的过道长度。

其中，所述第一薄膜晶体管的过道间隔小于所述第二薄膜晶体管的过道间隔。

本发明将关机时残留在像素单元内信号，通过在该像素单元内的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管同时进行释放，从而相比现有的通过一个薄膜晶体管释放残留信号的结构，有效地提高了释放残历信号的效率，从而有效地提高了关机时液晶显示装置的抗残像性能，并且提高了液晶显示装置的质量。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明第一实施例的结构示意图；

图2为图1中A区域的放大示意图；

图3为图1中B区域的方大示意图；

图4为本发明第二实施例的结构示意图；

图5为图4中A区域的放大示意图；

图6为图4中B区域的方大示意图。

附图标记说明

1-栅线；                      2-数据线；

311-第一薄膜晶体管的漏极；    312-第一薄膜晶体管的源极；

313-第一薄膜晶体管的栅极；    321-第二薄膜晶体管的漏极；

322-第二薄膜晶体管的源极；    323-第二薄膜晶体管的栅极；

具体实施方式

本发明第一实施例

图1为本发明第一实施例的结构示意图，图2为图1中A区域的放大示意图，图3为图1中B区域的方大示意图，如图1～图3所示，薄膜晶体管液晶显示装置，包括具有数个像素单元的阵列基板，每一个像素单元包括第一薄膜晶体管(图1中的A区域)和第二薄膜晶体管(图1中的B区域)；其中第一薄膜晶体管的源极312和第二薄膜晶体管的源极322与同一个数据线2连接，第一薄膜晶体管的漏极311和第二薄膜晶体管的漏极321与同一个像素单元电极连接，第一薄膜晶体管的栅极313与相应的栅线1连接，即与具有该像素单元的本行栅线1连接，能释放非正常关机时像素单元上留有的残余信号；第二薄膜晶体管的栅极323与前端栅线1连接，即与该像素单元所 属的前一行栅线1连接，能预释放非正常关机时像素单元上留有的残余信号；第一薄膜晶体管的电阻小于第二薄膜晶体管的电阻。

本发明第一实施例，将关机时残留在像素单元内信号，通过在该像素单元内的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管同时进行释放，从而相比现有的通过一个薄膜晶体管释放残留信号的结构，有效地提高了释放残历信号的效率，从而有效地提高了关机时液晶显示装置的抗残像性能，并且提高了液晶显示装置的质量。在这里，阵列基板也可以叫做排列基板。