[发明专利]春石斛优质成品培育出花的方法无效
| 申请号： | 200810103082.7 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101248729A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李振坚 | 申请（专利权）人： | 中国林业科学研究院林业研究所 |
| 主分类号： | A01G1/00 | 分类号： | A01G1/00;A01G7/06 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100091*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石斛 优质 成品 培育 方法 | ||
1. 一种春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，包括，
选择早花且花期长的春石斛品种的半成品进行培育；
培育期间增加对所述半成品光照强度和光照时间，并减少施肥量；
当所述半成品的茎叶生长形成休止叶时，进行两周以上的低温处理。
2. 根据权利要求1所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的春石斛品种的花期大于等于6周。
3. 根据权利要求2所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的春石斛品种的花期为6～8周。
4. 根据权利要求1所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的春石斛品种为Den.Tomoflake‘Akebono’。
5. 根据权利要求1所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的光照强度为40000～45000lx。
6. 根据权利要求1或5所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，每年9-10月份的半成品花芽萌发期间，对所述半成品全天进行光照。
7. 根据权利要求1所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的施肥在每年的5月底结束，最晚到8月底结束，之后不再施肥。
8. 根据权利要求1所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述低温处理的温度为8～15℃。
9. 根据权利要求1或8所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述低温处理的时间为2～4周。
10. 根据权利要求1或8所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述低温处理的时间为25～60天。
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