[发明专利]移位寄存器及液晶显示器栅极驱动装置有效
申请号: | 200810102787.7 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101546607A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 商广良 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G09G3/36 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 液晶显示器 栅极 驱动 装置 | ||
1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:
第一薄膜晶体管,其漏极连接第一时钟信号输入端,栅极和源极之间连 接第一电容,源极还连接信号输出端;
第二薄膜晶体管,其漏极分别与信号输出端和第一薄膜晶体管的源极连 接,栅极连接复位信号输入端,源极与低电压信号输入端连接;
第三薄膜晶体管,其栅极与信号输入端连接,漏极与高电压信号输入端 连接;
第四薄膜晶体管,其栅极与所述复位信号输入端连接,漏极与第三薄膜 晶体管的源极连接,源极与低电压信号输入端连接;
下拉薄膜晶体管,其漏极分别与信号输出端、第一电容的一端以及第一 薄膜晶体管的源极连接,源极连接低电压信号输入端;以及
下拉薄膜晶体管驱动单元,用于当信号输出端输出信号为低电平且第一时 钟信号输入端输入信号为高电平时,控制所述下拉薄膜晶体管打开,分别与高 电压信号输入端、第一时钟信号输入端、第三薄膜晶体管的源极和漏极、低电 压信号输入端、第一薄膜晶体管的栅极以及所述下拉薄膜晶体管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述下拉薄膜晶体 管驱动单元还与第二时钟信号输入端连接;
所述下拉薄膜晶体管驱动单元具体包括:
第五薄膜晶体管,其漏极与所述高电压信号输入端连接,栅极与第一时 钟信号输入端连接,源极与所述下拉薄膜晶体管的栅极连接;
第六薄膜晶体管,其漏极与所述第五薄膜晶体管的源极连接,栅极分别 与第三薄膜晶体管的源极、第一薄膜晶体管的栅极以及第一电容的一端连接, 源极与所述低电压信号输入端连接;
第七薄膜晶体管,其漏极与第五薄膜晶体管的源极连接,栅极与第二时 钟信号输入端连接,源极与所述低电压信号输入端连接;以及
第八薄膜晶体管,其漏极与第三薄膜晶体管的源极连接,栅极与第五薄 膜晶体管的源极连接,源极与所述低电压信号输入端连接。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述下拉薄膜晶体 管驱动单元具体包括:
第五薄膜晶体管,其漏极与所述高电压信号输入端连接,栅极与第一时 钟信号输入端连接,源极与所述下拉薄膜晶体管的栅极连接;
第六薄膜晶体管,其漏极与所述第五薄膜晶体管的源极连接,栅极分别 与第三薄膜晶体管的源极、第一薄膜晶体管的栅极以及第一电容连接,源极 与所述低电压信号输入端连接;
第七薄膜晶体管,其漏极与第五薄膜晶体管的源极连接,源极与所述低 电压信号输入端连接;
第八薄膜晶体管,其漏极与第三薄膜晶体管的源极连接,栅极与第五薄 膜晶体管的源极连接,源极与所述低电压信号输入端连接;
第九薄膜晶体管,其漏极和栅极均与所述高电压信号输入端连接;以及
第十薄膜晶体管,其漏极分别与第七薄膜晶体管的栅极、第九薄膜晶体 管的源极连接,栅极与第五薄膜晶体管的栅极以及所述第一时钟信号输入端 连接,源极与所述低电压信号输入端连接。
4.一种移位寄存器,其特征在于,包括:
第一薄膜晶体管,其漏极连接第一时钟信号输入端,栅极和源极之间连 接第一电容,源极还连接信号输出端;
第二薄膜晶体管,其漏极分别与信号输出端和第一薄膜晶体管的源极连 接,栅极连接复位信号输入端,源极与低电压信号输入端连接;
第三薄膜晶体管,其栅极和漏极均与信号输入端连接;
第四薄膜晶体管,其栅极与所述复位信号输入端连接,漏极与第三薄膜 晶体管的源极连接,源极与低电压信号输入端连接;
下拉薄膜晶体管,其漏极分别与信号输出端、第一电容的一端以及第一 薄膜晶体管的源极连接,源极连接低电压信号输入端;以及
下拉薄膜晶体管驱动单元,用于当信号输出端输出信号为低电平且第一 时钟信号输入端输入信号为高电平时,控制下拉薄膜晶体管打开,分别与高 电压信号输入端、第一时钟信号输入端、第三薄膜晶体管的源极、低电压信 号输入端、第一薄膜晶体管的栅极以及所述下拉薄膜晶体管的栅极连接。
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