[发明专利]TFT-LCD阵列基板和彩膜基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置及其制造方法，特别是一种TFT-LCD阵列基板和彩膜基板及其制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示装置市场占据了主导地位。TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板(彩色滤光片)对盒并在其中注入液晶而形成的，阵列基板和彩膜基板之间通常设置柱状隔垫物来维持盒厚。 

现有技术阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线和公共电极线，数据线与栅线垂直，相邻的栅线和数据线限定了一个像素区域，并在交叉处形成TFT，TFT包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极和钝化层，其中栅电极与栅线连接，源电极与数据线连接，位于像素区域内的像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。现有技术彩膜基板包括形成在基板上的黑矩阵和彩色树脂(红色树脂、绿色树脂或蓝色树脂)，每个彩色树脂对应于一个像素区域，在间隔一个或数个彩色树脂的距离上，均匀分布的柱状隔垫物形成在黑矩阵上，位于TFT的上方，柱状隔垫物顶端与TFT接触。 

实际生产和使用表明，现有技术TFT-LCD结构存在如下技术缺陷： 

(1)彩膜基板上透明电极与阵列基板上公共电极之间只能采用间接的连接方式连接，即必须通过像素区域外的周边电路结构，如采用导电银胶或导电金属球等，而这种连接结构容易在生产中造成静电击穿，使TFT-LCD产生亮线不良等缺陷； 

(2)由于柱状隔垫物与阵列基板的接触位置处于阵列基板的最高位置(TFT的上方)，当基板受到挤压或冲击时，柱状隔垫物会自动向较低位置移动，并且很难回复到原有位置，从而导致漏光不良，这种不良现象严重影响了TFT-LCD的良品率，对显示效果也造成不良影响。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板和彩膜基板及其制造方法，通过改变彩膜基板上透明电极与阵列基板上公共电极的电连接结构，有效克服现有TFT-LCD存在的技术缺陷，提高TFT-LCD的显示品质。 

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的TFT和位于像素区域内的像素电极，所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化层过孔和像素电极过孔，用于与彩膜基板上的透明电极直接连接；所述像素电极过孔的中心与所述第二钝化层过孔的中心一致，且所述像素电极过孔的直径大于所述彩膜基板上的柱状隔垫物与所述第二钝化层过孔接触处的直径。 

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括： 

步骤11、在基板上沉积一层栅金属层，通过构图工艺形成栅电极、栅线、挡光条和公共电极线图形； 

步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层和有源层，通过构图工艺形成有源层图形； 

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积一层金属薄膜，通过构图工艺形成数据线、源电极和漏电极图形； 

步骤14、在完成步骤13的基板上沉积一层钝化层，通过构图工艺在所述漏电极上方形成第一钝化层过孔，在所述公共电极线上方形成第二钝化层过孔； 

步骤15、在完成步骤14的基板上沉积一层像素电极层，通过构图工艺形成像素电极，并在所述第二钝化层过孔处形成像素电极过孔，且像素电极通过所述第一钝化层过孔与漏电极连接；所述像素电极过孔的中心与所述第 二钝化层过孔的中心一致，且所述像素电极过孔的直径大于彩膜基板上的柱状隔垫物与所述第二钝化层过孔接触处的直径。 

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD彩膜基板，包括形成在基板上的黑矩阵、彩色树脂、柱状隔垫物和透明电极，所述柱状隔垫物设置在与阵列基板上中心一致的第二钝化层过孔和像素电极过孔相对应的位置上，且覆盖有所述透明电极；所述透明电极通过直径大于所述柱状隔垫物与所述第二钝化层过孔接触处的直径的所述像素电极过孔和所述第二钝化层过孔与所述阵列基板上的公共电极线直接连接。 

所述柱状隔垫物的侧面形状为梯形，顶端宽度为1μm～40μm，底端宽度为1μm～80μm。进一步地，所述柱状隔垫物的顶端形状和/或底端形状为圆形、椭圆形、四边形或多边形。