[发明专利]实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法

权利要求书

1.一种实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，该方法包括：

对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行预处理；

对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；

腐蚀InGaAs帽层，形成增强型栅极，实现栅极的制备；

采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；

刻孔，蒸发一次布线金属，采用PECVD生长一层SiN介质，然后在SF₆气体氛围下进行等离子光刻进行二次刻孔，并光刻布线，蒸发第二次布线金属Ti/Au；

常规金属剥离形成金属图形。

2.根据权利要求1所述的实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，所述对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行预处理具体包括：

对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行腐蚀隔离，然后先用丙酮冲洗，再用乙醇清洗，最后用去离子水冲洗6遍，放入120℃的烘箱中烘烤10分钟，并在130℃走程序，然后在外延片上以3000转/分的速度涂敷991原胶，涂敷时间为1分钟，涂敷厚度为1.5μm，然后在95℃的热板上烘烤90秒，并采用正胶显影液显影60秒，然后用去离子水冲洗，并吹干，然后打底胶并在O₂气体氛围下进行等离子光刻，O₂气体流量为60sccm，等离子光刻的功率为20W，时间为120秒，然后在体积比HCL∶H₂O＝1∶10的腐蚀液中漂10秒，以去除表面氧化层，测台阶高度，再采用腐蚀液H₃PO₄∶H₂O₂∶H₂O＝3∶1∶50进行腐蚀，腐蚀时间40秒，监测电流及岛高，然后将腐蚀液清洗干净，并采用丙酮去胶，再清洗吹干。

3.根据权利要求1所述的实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，所述对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备包括：

在外延片上涂敷原胶AZ5214，转速为3500转/分，涂敷时间1分钟，涂敷原胶的厚度为1.6μm，然后在95℃的热板上烘烤90秒，并将源漏版采用小机器曝光20秒，并采用AZ5214显影液显60秒，然后用去离子水冲洗，打底胶30秒，并在腐蚀液H₃PO₄∶H₂O＝1∶15中漂洗20秒以去除氧化层，最后再采用丙酮剥离多余的源漏金属。

4.根据权利要求1所述的实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，所述腐蚀InGaAs帽层，形成增强型栅极，实现栅极的制备包括：

在外延片上涂敷胶AZ5206，转速为3000转/分，涂敷时间1分，涂敷胶的厚度为1.4μm，然后在95℃的热板上烘烤90秒，并将栅金属版采用大机器曝光2.1秒，挖栅槽，采用腐蚀液柠檬酸∶双氧水＝1∶1腐蚀InGaAs帽层，形成增强耗尽型栅极，然后蒸发栅金属Ti/Pt/Au，并采用丙酮剥离多余的栅金属，其中，Ti的厚度为Pt的厚度为Au的厚度为

5.根据权利要求1所述的实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，所述采用PECVD生长一层SiN介质的步骤中SiN介质的厚度为2000埃。

6.根据权利要求1所述的实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，所述溅射NiCr合金制作电阻的步骤包括：

在外延片上涂敷AZ5214胶，转速为4000转/分，涂敷时间60秒，涂敷胶的厚度为1.5μm，然后在95℃的热板上烘烤90秒，然后对外延片进行光刻、反转和泛曝光，并采用SP-3型磁控溅射机在外延片上溅射厚度为的NiCr合金。

7.根据权利要求1所述的实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，所述刻孔，蒸发一次布线金属，采用PECVD生长一层SiN介质，然后在SF₆气体氛围下进行等离子光刻进行二次刻孔，并光刻布线，蒸发第二次布线金属Ti/Au的步骤包括：

在O₂氛围下进行等离子光刻RIE，流量60sccm，功率20W；

光刻布线，蒸发第一次布线金属Ti/Au，并剥离；

采用PECVD生长厚度为3000埃的SiN介质，然后在SF₆气体氛围下进行等离子光刻进行二次刻孔，流量30sccm，功率30W；

光刻布线，蒸发第二次布线金属Ti/Au，其中Ti的厚度为1000埃，Au的厚度为10000埃。