[发明专利]控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法无效
| 申请号： | 200810102198.9 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101540357A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 梁凌燕;叶小玲;金鹏;陈涌海;徐波;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 组织 铟镓砷 量子 成核 生长 方法 | ||
1.一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：选择一衬底；
步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；
步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；
步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、厚度小于1ML的超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
2.根据权利要求1所述的控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，其中所述的衬底为砷化镓或磷化铟或硅衬底。
3.根据权利要求1所述的控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，其中所述的铟镓砷层的化学式为InxGa1-xAs，其中0＜x≤1。
4.根据权利要求1所述的控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，其中所述的依序淀积的第一层铟镓砷的厚度与铟镓砷材料生长在应力缓减层上时从层状生长模式转变到岛状生长模式的临界厚度大致相同。
5.一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：选择一衬底；
步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；
步骤3：在缓冲层上依序淀积第一层铟镓砷、厚度小于1ML的超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
6.根据权利要求5所述的控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，其中所述的衬底为砷化镓或磷化铟衬底。
7.根据权利要求5所述的控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，其中所述的铟镓砷，其化学式为InxGa1-xAs，其中0＜x≤1。
8.根据权利要求5所述的控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，其中所述的依序淀积的第一层铟镓砷的厚度与铟镓砷材料生长在缓冲层上时从层状生长模式转变到岛状生长模式的临界厚度大致相同。
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