[发明专利]制造晶片级封装的方法

权利要求书

1.一种制造晶片级封装的方法，所述方法包括：

穿透基板以便形成空腔；

将粘附层附着于所述基板的一侧上；

通过在所述空腔中插入晶片基板而将所述晶片基板放置在所述粘附层的一侧上；

在所述晶片基板上堆叠绝缘层；

在所述绝缘层中加工通孔；

在所述绝缘层上形成种子层；

在所述种子层上形成抗镀层，所述抗镀层与重分布图案具有对应的关系；

通过电镀形成所述重分布图案，所述重分布图案包括用于外部接触的端子；以及

将导电球连接至所述端子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基板中形成多个空腔，并且每个空腔具有插入其中的晶片基板。

3.根据权利要求1所述的方法，在所述附着所述粘附层之后，进一步包括：在所述粘附层的另一侧上形成承载层。

4.根据权利要求1所述的方法，在所述形成所述重分布图案之后，进一步包括：

除去所述抗镀层；

涂覆PSR(光成像阻焊油墨)，以便覆盖所述绝缘层和包括所述端子的所述重分布图案；以及

选择性地除去所述PSR以便暴露出所述端子。

5.根据权利要求4所述的方法，在所述连接所述导电球之前，进一步包括：在所述端子上形成钝化层，所述钝化层构造成防止所述端子的氧化。

6.根据权利要求3所述的方法，在所述连接所述导电球之前，进一步包括：将所述粘附层与所述承载层分开。