[发明专利]像素电路和显示装置无效
| 申请号: | 200810099104.7 | 申请日: | 2008-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN101303825A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
| 发明(设计)人: | 山本哲郎;内野胜秀;山下淳一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/30;G09G3/32;H05B33/08;H05B33/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 郭定辉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电路 显示装置 | ||
相关申请的交叉引用
本发明包含涉及于2007年5月9日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-124261的主题,将其全部内容通过引用的方式合并在此。
技术领域
本发明涉及像素电路(在下文中也称为“像素”)和显示装置。更具体地说,本发明涉及包括其亮度根据驱动信号的电平而变化的电光元件作为显示元件的像素电路,并且涉及包括以矩阵排列的、每一个均具有以上配置的像素电路的显示装置,其中通过在相应的像素电路中提供的有源元件、逐像素执行显示驱动。
背景技术
包括其亮度根据施加到其的电压或流经其的电流而变化的电光元件作为像素的显示元件的显示装置是可用的。液晶显示元件是其亮度随施加到其的电压而变化的电光元件的一般示例,而有机电致发光(有机发光(EL)二极管(OLED))元件(在下文中称为“有机EL元件”)是其亮度随着流经其的电流而变化的电光元件的一般示例。包括后者(有机EL元件)的有机EL显示装置是包括电光元件(是自发光元件,作为像素的显示元件)的自发光显示装置。
包括电光元件的显示装置(如包括液晶显示元件的液晶显示装置和包括有机EL元件的有机EL显示装置)可以通过使用简单(无源)矩阵方法和有源矩阵方法来驱动。简单矩阵显示装置结构简单,但存在体积大和难于实现高清晰度显示装置的问题。
因此,最近已经积极地开发有源矩阵显示装置,其中使用也在像素中提供的有源元件(如绝缘栅极场效应晶体管(一般是,薄膜晶体管(TFT)))作为开关晶体管,来控制要提供到在像素中提供的发光元件的像素信号。
为了照亮电光元件,通过使用开关晶体管将输入图像信号馈入在驱动晶体管的栅极端(控制输入端)提供的像素电容器,并且将与所馈入的输入图像信号对应的驱动信号提供到电光元件。例如,在有机EL显示装置中,通过驱动晶体管将与输入图像信号对应的驱动信号(电压信号)转换为电流信号,并且将驱动电流提供到有机EL元件。
根据输入图像信号馈入到像素电容器并在其中保持的驱动信号恒定是很重要的,从而实现电光元件的恒定的发光亮度。例如,为了实现有机EL元件的恒定的发光亮度,与输入图像信号对应的驱动电流恒定是很重要的。已经研究了用于实现恒定驱动电流的有机EL元件的像素电路的各种配置(例如,参见日本待审查专利申请公开No.2005-345722)。
日本待审查专利申请公开No.2005-345722公开了用于即使使用p沟道或n沟道晶体管作为驱动晶体管或即使有机EL元件的电流-电压特性随时间改变或驱动晶体管的阈值电压中存在变化或依赖于时间的改变,也能实现恒定驱动电流的配置。
发明内容
然而,如果在驱动晶体管的控制输入端提供的各种开关晶体管的漏电流很大,则在像素电容器中保持的电压根据漏电流的幅度而变化。结果,即使使用在日本待审查专利申请公开No.2005-345722中公开的配置,也会由于开关晶体管的漏电流引起的电势改变,使驱动信号(在所公开的示例中,驱动电流)改变,从而发光亮度不会维持在恒定级别。如果这种现象的发生电平在像素间不同,则会显示具有不一致质量的图像。
因此期望提供能够防止或减小由于在驱动晶体管的控制输入端提供的各种开关晶体管的漏电流引起的驱动信号电平的改变的配置。
根据本发明的实施例的像素电路包括:电光元件,被配置为响应于驱动信号而发光;驱动晶体管,被配置为将驱动信号提供给电光元件;像素电容器(保持电容器),连接到驱动晶体管的控制输入端;开关晶体管,提供在驱动晶体管的控制输入端;以及驱动信号稳定电路,被配置为将驱动信号维持在恒定电平。
根据本发明的实施例的显示装置包括以矩阵排列的多个像素电路,每一个像素电路均具有上述配置。
驱动信号稳定电路可以是被配置为将驱动晶体管的驱动电流维持在恒定电平而不管电光元件的电流-电压特性的依赖于时间的改变或驱动晶体管的特性改变的电路。驱动信号稳定电路可以具有任意的电路配置。
在根据本发明的实施例的显示装置或像素电路中,驱动晶体管和在驱动晶体管的控制输入端提供的开关晶体管中的每一个均具有轻掺杂漏极(LDD)结构。可以将开关晶体管的LDD长度(LDD区的长度)设置得长于驱动晶体管的LDD长度。
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