[发明专利]一种制造微机电系统(MEMS)器件结构的方法

权利要求书

1.一种制造微机电系统MEMS器件的方法，所述方法包括：

在基底上沉积至少一个层，所述层包括牺牲材料；

将所述牺牲层形成图案；

在所述牺牲层上沉积附加层；以及

利用所述牺牲层作为光掩膜将所述附加层形成图案。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述牺牲层。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述基底上形成导电层，其中所述牺牲层形成于所述导电层之上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述导电层是至少局部透光的。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述导电层是充分透明的。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述牺牲层上形成上层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述上层是导电的。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述上层至少局部反射入射光。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括去除所述牺牲层以形成MEMS腔，所述上层通过所述MEMS腔是可移动的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述上层是在将所述附加层形成图案之后形成的，所述上层由形成图案的附加层的多个部分支撑。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述附加层包括负效光刻胶。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底是至少局部透光的。

13.一种形成微机电系统MEMS器件的方法，所述方法包括：

提供透光的基底；

在所述基底上提供牺牲层；

将所述牺牲层形成图案以去除至少部分的所述牺牲层；

在所述牺牲层上提供附加层；以及

通过将所述附加层暴露在穿过所述牺牲层的被去除部分的光中，将所述附加层形成图案。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括去除所述牺牲层的剩余部分。

15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括提供下层，其中所述下层位于所述基底和所述牺牲层之间。

16.根据权利要求15所述的方法，其中至少部分所述下层是至少局部反光的。

17.根据权利要求15所述的方法，其中至少部分所述下层是导电的。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述下层的导电部分对可见光是充分透明的。

19.根据权利要求13所述的方法，进一步包括在所述牺牲层上提供上层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中至少部分所述上层对可见光是局部反射的。

21.根据权利要求19所述的方法，其中至少部分所述上层是导电的。

22.根据权利要求19所述的方法，进一步包括去除所述牺牲层的剩余部分以形成腔，在所述腔内所述上层是可移动的。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述上层被提供在形成图案的附加层上并由形成图案的附加层支撑。

24.根据权利要求19所述的方法，其中所述上层包括铝和镍。

25.根据权利要求13所述的方法，其中所述牺牲层可以由二氟化氙XeF₂刻蚀。

26.根据权利要求13所述的方法，其中所述牺牲层是不透光的。

27.根据权利要求13所述的方法，其中将所述附加层形成图案进一步包括利用所述牺牲层的剩余部分阻挡所述光。

28.一种制造微机电系统MEMS阵列的方法，所述方法包括：

在基底上形成透明电极，所述基底允许光从其中通过；

在所述透明电极上形成牺牲层；

在所述牺牲层上沉积附加层；以及

通过将所述附加层暴露在穿过所述基底的光中，将所述附加层形成图案。