[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的软磁层；

在所述软磁层上由Ti或Ta形成的缓冲层；

形成于所述缓冲层上的由Ru形成的第一衬层；

与所述第一衬层接触的由Ru和氧化物形成的第二衬层；

形成于所述第二衬层上的第一和第二铁磁记录层，其中所述第一和第二 铁磁记录层彼此接触，所述第二铁磁记录层形成在所述第一铁磁记录层上； 及

形成于所述第一和第二铁磁记录层上的帽盖层，所述帽盖层由没有氧的 Co合金形成，

其中所述第二铁磁记录层的Pt浓度低于所述第一铁磁记录层的Pt浓度，

其中所述第一铁磁记录层由选自由CoPt-TiO₂、CoPt-SiO₂和CoPt-CrO 构成的集合的任何一种材料形成，所述第二铁磁记录层由选自由 CoCrPt-SiO₂、CoCrPt-TiO₂和CoCrPt-CrO构成的集合的任何一种材料形成， 且

其中所述帽盖层是晶粒不被氧化物隔离的连续薄膜。

2.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一铁磁记录 层具有10-50at％的Pt浓度。

3.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第二铁磁记录 层具有1-30at％的Pt浓度。

4.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一铁磁记录 层的磁各向异性能为5×10⁶到5×10⁷erg/cc。

5.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第二铁磁记录 层的磁各向异性能为1×10⁶到5×10⁶erg/cc。

6.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一和第二铁 磁记录层中的每者的晶粒被其中的TiO₂、SiO₂或CrO隔离。

7.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述帽盖层由CoCrPtB 形成。

8.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第二衬层中含 有的晶粒由Ru形成，氧化物成分置于所述晶粒之间。

9.一种垂直磁记录介质，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的由CoZrNb合金形成的软磁层；

在所述软磁层上由Ti或Ta形成的缓冲层；

在所述缓冲层上由Ru形成的第一衬层；

在所述第一衬层上由Ru和氧化物形成的第二衬层；

形成于所述第二衬层上的第一和第二铁磁记录层，其中所述第一和第二 铁磁记录层彼此接触；及

形成于所述第二铁磁记录层上的帽盖层，所述帽盖层由没有氧的Co合 金形成，

其中所述第一铁磁记录层由选自由CoPt-TiO₂、CoPt-SiO₂和CoPt-CrO 构成的集合的任何一种材料形成，所述第二铁磁记录层由选自由 CoCrPt-SiO₂、CoCrPt-TiO₂和CoCrPt-CrO构成的集合的任何一种材料形成，

其中所述第一和第二铁磁记录层中的每者的晶粒被其中的TiO₂、SiO₂或CrO隔离，且

其中所述第二衬层通过在氧浓度为0.1-5％的气氛下的反应溅射形成。