[发明专利]达成正面电性导通的无基板半导体封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种达成正面电性导通的无基板半导体封装结构，其特征在于，包括：

一封装单元，其具有至少一中央容置槽；

至少一半导体芯片，其容置于该至少一中央容置槽内，并且该至少一半导体芯片的上表面具有多个导电焊垫；

一第一绝缘单元，其具有至少一形成于该些导电焊垫之间的第一绝缘层，以使得该些导电焊垫彼此绝缘；

一第一导电单元，其具有多个第一导电层，并且其中一第一导电层成形于该第一绝缘层上且位于该至少一半导体芯片的上方，其余的第一导电层的一端分别电性连接于该些导电焊垫；

一第二导电单元，其具有多个第二导电层，其中一第二导电层成形于上述位于该至少一半导体芯片上方的第一导电层上，其余的第二导电层分别成形于上述该些分别电性连接于该些导电焊垫的第一导电层上；以及

一第二绝缘单元，其成形于该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间，以使得该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间产生电性隔绝。

2.如权利要求1所述的达成正面电性导通的无基板半导体封装结构，其特征在于，所述至少一半导体芯片为一发光二极管芯片，所述封装单元为一荧光材料或一透明材料，并且该些导电焊垫分成一正极焊垫及一负极焊垫，此外该发光二极管芯片具有一设置于该些导电焊垫的相反端的发光表面。

3.如权利要求1所述的达成正面电性导通的无基板半导体封装结构，其特征在于，所述至少一半导体芯片为一光感测芯片，所述封装单元为一透光材料，并且该些导电焊垫至少分成一电极焊垫组及一讯号焊垫组。

4.如权利要求1所述的达成正面电性导通的无基板半导体封装结构，其特征在于，所述至少一半导体芯片为一集成电路芯片，所述封装单元为一不透光材料，并且该些导电焊垫至少分成一电极焊垫组及一讯号焊垫组。

5.如权利要求1所述的达成正面电性导通的无基板半导体封装结构，其特征在于，上述该些分别电性连接于该些导电焊垫的第一导电层是成形于所述封装单元及所述至少一半导体芯片的该些导电焊垫上。

6.如权利要求1所述的达成正面电性导通的无基板半导体封装结构，其特征在于，所述第二绝缘单元的一部分覆盖于该些第二导电层上。

7.一种达成正面电性导通的无基板半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供至少两颗半导体芯片，其中每一颗半导体芯片具有多个导电焊垫；

将一覆着性高分子材料黏贴于一具有至少两个穿孔的基板单元的下表面；

将上述至少两颗半导体芯片容置于上述至少两个穿孔内并设置于该覆着性高分子材料上，其中该些导电焊垫是面向该覆着性高分子材料；

将一封装单元覆盖于该基板单元、该覆着性高分子材料、及上述至少两颗半导体芯片上；

将该封装单元反转并且移除该覆着性高分子材料，以使得该些导电焊垫外露并朝上；

成形具有多个第一导电层的第一导电单元，并且其中两个第一导电层分别位于该至少两颗半导体芯片的上方，其余的第一导电层的一端分别电性连接于该些导电焊垫；

成形具有多个第二导电层的第二导电单元，并且其中两个第二导电层分别成形于上述位于该至少两颗半导体芯片上方的两个第一导电层上，其余的第二导电层分别成形于上述该些分别电性连接于该些导电焊垫的第一导电层上；

成形一具有多个绝缘层的绝缘单元于该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间，以使得该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间产生电性隔绝；以及

依序切割上述位于每一颗半导体芯片两侧的第二导电单元、第一导电单元、及封装单元，以形成至少两颗单颗的无基板单元的半导体芯片封装结构。

8.如权利要求7所述的达成正面电性导通的无基板半导体封装结构的制作方法，其特征在于，每一颗半导体芯片为一发光二极管芯片，所述封装单元为一荧光材料或一透明材料，并且该些导电焊垫分成一正极焊垫及一负极焊垫，此外该发光二极管芯片具有一设置于该些导电焊垫的相反端的发光表面。

9.如权利要求7所述的达成正面电性导通的无基板半导体封装结构的制作方法，其特征在于，每一颗半导体芯片为一光感测芯片，所述封装单元为一透光材料，并且该些导电焊垫至少分成一电极焊垫组及一讯号焊垫组。