[发明专利]半导体装置、电子系统、存储卡以及使引线绝缘的方法

权利要求书

1、一种半导体装置，包括：

基底，在半导体装置中；

芯片，在基底上；

引线，电结合到芯片；

多个分隔绝缘结构，在引线上并围绕引线相应的剖面部分。

2、如权利要求1所述的装置，其中，引线的位于所述多个分隔绝缘结构中的直接相邻的分隔绝缘结构之间的部分在分隔绝缘结构之外。

3、如权利要求1所述的装置，其中，分隔绝缘结构的剖面部分包括环形形状。

4、如权利要求1所述的装置，其中，分隔绝缘结构包括这样的形状，即，在所述形状中心的直径比邻近所述形状边缘的直径大。

5、如权利要求1所述的装置，其中，分隔绝缘结构包括球形的外部形状。

6、如权利要求1所述的装置，其中，分隔绝缘结构包括椭圆形的外部形状。

7、如权利要求1所述的装置，其中，多个分隔绝缘结构沿引线以相等的间隔隔开，所述间隔在分隔绝缘结构之间限定引线的相等的暴露部分。

8、如权利要求1所述的装置，其中，多个分隔绝缘结构的剖面中心处的厚度相等。

9、如权利要求1所述的装置，其中，所述引线包括第一引线，所述装置还包括：

第二引线，与第一引线直接相邻，其中，多个分隔绝缘结构中的每个在第一和第二引线相邻的剖面部分上，并围绕所述相邻的剖面部分。

10、如权利要求9所述的装置，其中，第一和第二引线包括一组引线，包括在所述组内的引线之间的间距比所述组和直接相邻的引线组之间的间距小。

11、如权利要求1所述的装置，其中，所述引线包括一条引线，所述一条引线包括在多条引线中，所述装置还包括：

在多条引线中的每条引线上的相应的多个分隔绝缘结构，其中，直接相邻的引线的被围绕的剖面部分彼此偏移。

12、如权利要求1所述的装置，其中，所述芯片包括第一芯片，所述装置还包括：

第二芯片，在装置中并位于第一芯片上；

第二引线，直接在第一引线上方电结合到第二芯片，其中，第一引线和第二引线均包括分别围绕第一和第二引线的剖面部分的相应的多个分隔绝缘结构。

13、如权利要求12所述的装置，其中，利用凸点正向工艺或凸点反向工艺使第一引线结合在第一芯片和基底之间，并使第二引线结合在第二芯片和基底之间。

14、一种电子系统，包括：

处理器，被构造成调整电子系统的操作；

系统接口，电结合到处理器，系统接口被构造成在处理器和外部系统之间提供通信；

存储器，电结合到处理器，包括至少一个存储装置，所述存储装置包括：

芯片，在存储装置的基底上；

引线，电结合到芯片；

多个分隔绝缘结构，在所述引线上并围绕引线的相应的剖面部分。

15、一种存储卡，包括：

非易失性存储控制器，被构造成调整存储卡的操作；

存储器，电结合到非易失性存储控制器，包括非易失性存储器，所述非易失性存储器包括：

芯片，在非易失性存储器的基底上；

引线，电结合到芯片；

多个分隔绝缘结构，在所述引线上并围绕引线的相应的剖面部分。

16、一种使半导体装置内的引线绝缘的方法，所述方法包括：

在引线上形成多个分隔绝缘结构以围绕所述引线相应的剖面部分。

17、一种使半导体装置内的引线绝缘的方法，所述方法包括：

预处理结合在芯片和基底之间的引线，以降低引线和用于沉积在引线上的材料之间的表面张力，来提供经预处理的引线；

形成多个分隔绝缘结构以围绕引线相应的剖面部分，所述分隔绝缘结构包括在经预处理的引线上的所述材料。

18、如权利要求17所述的方法，其中，预处理步骤包括应用包括Ar或N的等离子体处理。

19、如权利要求17所述的方法，其中，预处理步骤包括湿法处理。