[发明专利]多波长LED晶粒构造及其制造方法无效
| 申请号： | 200810098618.0 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599443A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 徐定男 | 申请（专利权）人： | 普尔世纪有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈 泊 |
| 地址： | 英国塞西尔群*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 led 晶粒 构造 及其 制造 方法 | ||
1、一种多波长LED晶粒制造方法，其特征在于，包含有以下步骤：
依据上述多波长LED晶粒所需的光色选取多片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，且设定各片单波长LED磊晶片的厚度比值；
将上述各片单波长LED磊晶片平面相叠接合一体，以形成多波长LED磊晶片；
将上述多波长LED磊晶片切割成多波长LED磊晶条；
沿上述多波长LED磊晶条的一侧切割面设制一金属反射层；
将上述多波长LED磊晶条及其金属反射层共同切割制出上述多波长LED晶粒。
2、根据权利要求1所述的多波长LED晶粒制造方法，其特征在于：选取两片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，以相叠接合形成双波长LED磊晶片。
3、根据权利要求1所述的多波长LED晶粒制造方法，其特征在于：选取三片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，以相叠接合形成三波长LED磊晶片。
4、根据权利要求1、2或3所述的多波长LED晶粒制造方法，其特征在于：上述各片单波长LED磊晶片彼此间以导电介面层接合一体。
5、一种多波长LED晶粒构造，其特征在于：包含有多个不同波长及光色的单波长LED晶粒体，上述各个单波长LED晶粒体相叠接合一体，且各个单波长LED晶粒体的同一侧表面设有一金属反射层，以构成上述多波长LED晶粒。
6、根据权利要求5所述的多波长LED晶粒构造，其特征在于：上述多波长LED晶粒设为双波长LED晶粒，包含有两个不同波长及光色的单波长LED晶粒体，且彼此间相叠接合一体。
7、根据权利要求5所述的多波长LED晶粒构造，其特征在于：上述多波长LED晶粒设为三波长LED晶粒，包含有三个不同波长及光色的单波长LED晶粒体，且彼此间相叠接合一体。
8、根据权利要求5、6或7所述的多波长LED晶粒构造，其特征在于：上述各个单波长LED晶粒体彼此间设有导电介面层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普尔世纪有限公司，未经普尔世纪有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810098618.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
