[发明专利]改善离轴色偏的液晶显示器及面板有效
申请号: | 200810098499.9 | 申请日: | 2008-05-28 |
公开(公告)号: | CN101281336A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 赖明升;王智伟;黄雪瑛;杨振国 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G09G3/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 离轴色偏 液晶显示器 面板 | ||
技术领域
本发明一般关于液晶显示器,更特别的是LCD装置中有以扫描线感应耦合进行离轴色偏改善的LCD面板,及驱动该装置的方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)仅需使用低功率即可达成高画质的图像显示能力,故能广泛地被应用为显示装置。一LCD装置包括一LCD面板,其由复数个液晶单胞以及具有液晶电容和储存电容的像素器件连接至对应液晶单胞,一薄膜晶体管(TFT)电性耦合至该液晶电容和储存电容。这些像素器件基本上编排成具有复数个像素栏与复数个像素列的矩阵。如同典型的作法,扫描信号连续施加于数个像素列,使其能一列一列地连续开启像素器件。当一扫描信号被施加于一像素列以开启对应像素列的像素器件的TFT,给像素列的来源信号(图像信号)是同时施加于数个像素栏,其改变对应像素列的液晶电容和储存电容,故能排列对应联结至像素列的液晶单胞的方向以控制光线经过该液晶单胞的透射比。通过对所有像素列重复此程序,将提供所有的像素器件对应图像信号的来源信号,因此于其上显示图像信号。
由于液晶分子长而薄的形状,其会依明确的方向排列。LCD面板的液晶单胞中的液晶分子的方向在决定穿透其上光线的通透性扮演一重要角色。举例而言,在一扭转条带式(twist nematic)LCD中,当液晶分子呈现倾斜状态,光从入射方向会受各种不同的反射率影响。LCD的功能取决于其双折射效应(birefringence effect),是以光的透射比会随观看的角度而改变。因为该光线传送上的差异,观看LCD最理想的角度受限于一狭窄的视角中。LCD的受限的可视角是其最大的缺点,成为限制LCD应用的主因。
已有数种增加LCD可视角的方法,像是面内切换模式(In-Plane Switching,IPS),多域垂直调校模式(multi-domain vertical alignment)等。IPS模式乃是通过梳形内部数字化电极以产生电场于基质的平面中,使液晶分子于基质中排列,并提供宽广的可视角以用于宽荧屏或其他的应用。然而,虽然IPS能提供宽广的可视角,但其需要高电压和低孔径比。此外,因为平面的电场结构,IPS模式本质上易有严重的图像暂留现象。而垂直调校模式中,多域编排乃是藉一突出结构以推动液晶分子倾斜成不同方向。然而,垂直编排又需额外于制造工艺中加入照像平板印刷的一步骤。
因此,目前为止业界存有一需求以期能解决上述缺失。
发明内容
本发明,在一方面,为一改善离轴色偏的LCD面板。在一实施例中,该LCD面板包括一共用线;复数个扫描线,{Gn},n=1,2,…,N其沿行方向排列;复数个数据线,{Dm},m=1,2,…,M,其沿垂直行方向的列方向排列。该LCD面板更包括复数个像素排列成矩阵的形式,每个像素{Pn,m}位于两邻近扫描线Gn和Gn+1及两邻近数据线Dm和Dm+1之间,其包括至少一第一子像素和一第二子像素。该第一及该第二子像素各具有一晶体管,该晶体管又具有一栅极、一源极及一漏极、一液晶电容有一第一端和一第二端,以及一储存电容具有一第一端及一第二端。在一实施例中,各该像素的各该子像素的各该二晶体管(T1和T2)为场效应薄膜晶体管(TFT)。该第一子像素的该储存电容Cst1和该第二子像素的该储存电容Cst1可本质上相同或相异。
该第一子像素的晶体管T1的栅极、源极和漏极分别电性耦接至扫描线Gn、数据线Dn及第二子像素的晶体管T2的源极。该第一子像素的液晶电容Clc1的该第一端和该第二端分别电性耦接至第一子像素的晶体管T1的漏极和共用线。该第一子像素的储存电容Cst1的该第一端电性耦接至该第一子像素的该第一晶体管T1的漏极。
该第二子像素的晶体管T2的该栅极和该漏极电性分别电性耦接至该扫描线Gn和该第二子像素的该液晶电容Clc2的该第一端。该第二子像素的该液晶电容Clc2的该第二端电性耦接至该共用线。该第二子像素的该储存电容Cst2的该第一端电性耦接至该第二子像素的该晶体管T2的该漏极。
该第一子像素的该储存电容Cst1的该第二端和该第二子像素的该储存电容Cst2的该第二端中至少一者电性耦接至该扫描线Gn-1或该扫描线Gn+1,而该第一子像素的该储存电容Cst1的该第二端和该第二子像素的该储存电容Cst2的该第二端中的另一者则电性耦接至该共用线。
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