[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810098327.1 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312188A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郑泰雄 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/792;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
浅沟槽隔离(STI)，其以为了在有源区中提供装置隔离 的方式形成在半导体衬底中；
颗粒形状亚稳态多晶硅(MPS)区，设置在由所述STI 装置隔离的所述有源区的多个部分上；
设置在所述MPS区上的一种或多种介电材料；以及
设置在所述介电材料的多个部分上的控制栅。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述STI包括在所 述半导体衬底上的氮化层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多颗粒形状 MPS区是通过在特定温度下在N2气氛中实施MPS退火工艺 而形成的。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述特定温度在 800℃至1500℃之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述介电材料是氧 化物-氮化物-氧化物(ONO)。
6.一种制造半导体装置的方法，包括：
在半导体衬底的有源区中形成亚稳态多晶硅(MPS)区；
在所述MPS区上形成介电材料；以及
在至少所述介电材料的部分上形成控制栅。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述MPS区为颗粒形状。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述颗粒形状是通过在特 定温度下在N2气氛中实施MPS退火工艺而形成的。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述特定温度在800℃ 至1500℃之间。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述介电材料是氧化物- 氮化物-氧化物(ONO)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
