[发明专利]适用于低电压运作的温度感应电路

权利要求书

1.一种适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于：包含：

一温度感应单元，用以连接到欲侦测电路的一输出电流端以及获取一Vdd电压，通过电压来感应电路温度；该温度感应单元包括复数个PMOS晶体管和PNP双极晶体管：一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第三PMOS晶体管、一PNP双极晶体管，以及一正温度系数电阻；其中，所述的第一PMOS晶体管栅极和漏极连接一输出电流端，而源极则是获取一Vdd电压；所述的第二PMOS晶体管栅极也连接所述的输出电流端，源极也获取所述的Vdd电压；所述的第三PMOS晶体管栅极也连接所述的输出电流端，源极也获取所述的Vdd电压，而漏极则通过所述的正温度系数电阻接地；所述的PNP双极晶体管射极则连接所述的第二PMOS晶体管的漏极而基极和集极则双双接地，同时所述的PNP双极晶体管的射极所接收的电压为一双极晶体管射极电压；

一温度门坎控制单元，用以提供所述的温度感应单元在检测到过温时，确保过温警告信号一直启动直到温度降到一定值；所述温度门坎控制单元包括至少一PMOS晶体管与复数个NMOS晶体管：一第四PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管以及一第三NMOS晶体管；其中所述的第四PMOS晶体管栅极连接所述的输出电流端，源极获取所述的Vdd电压；所述的第一NMOS晶体管栅极和漏极接在一起，并与所述的第四PMOS晶体管的漏极搭接，而源极则是接地；所述的第二NMOS晶体管栅极与所述的第一NMOS晶体管的栅极相接，源极也是接地；所述的第三NMOS晶体管漏极连接所述的PNP双极晶体管的射极，其源极则连接所述的第二NMOS晶体管的漏极；以及

一跨导放大器，用以提供电压比较，使温度感应电路能适用于低电压运作；所述的跨导放大器包括复数个PMOS与NMOS晶体管和一非门：一第五PMOS晶体管、一第六PMOS晶体管、一第七PMOS晶体管、一第八PMOS晶体管、一第四NMOS晶体管、一第五NMOS晶体管、一第六NMOS晶体管以及一非门；其中，所述的第五PMOS晶体管源极获取所述的Vdd电压，栅极连接所述的输出电流端；所述的第六PMOS晶体管源极获取所述的Vdd电压，而栅极也连接所述的输出电流端，漏极则输出一警告信号；所述的第七PMOS晶体管源极连接所述的第五PMOS晶体管的漏极，栅极连接所述的第三PMOS晶体管的漏极；所述的第八PMOS晶体管源极连接所述的第七PMOS晶体管的源极，栅极连接所述的PNP双极晶体管的射极；所述的第四NMOS晶体管漏极及其栅极相接并连接所述的第七PMOS晶体管的漏极，其源极则接地；所述的第五NMOS晶体管漏极连接所述的第八PMOS晶体管的漏极，其栅极与所述的第四NMOS晶体管的栅极相接，而源极则是接地；所述的第六NMOS晶体管漏极获取所述的警告信号，栅极连接所述的第五NMOS晶体管的漏极，而源极也同样是接地。

2.根据权利要求1所述的适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于：所述的非门输入端获取所述的警告信号，而输出端则连接所述的第三NMOS晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于：所述的第四PMOS晶体管经由所述的第一NMOS晶体管，提供一电流镜的电流给所述的第二NMOS晶体管，而所述的第三NMOS晶体管则为所述的电流镜的开关，负责控制所述的电流镜。

4.根据权利要求1所述的适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于：所述的第三NMOS晶体管开启时，所述的第二NMOS晶体管与PNP双极晶体管会分享电流，若所述的第三NMOS晶体管关闭时，所述的第二NMOS晶体管与PNP双极晶体管则会停止分享电流。