[发明专利]存储设备级联方法、存储系统及存储设备

说明书

技术领域

本发明涉及通信技术领域，具体涉及一种存储设备级联方法、存储系统及存储设备。

背景技术

随着技术的不断发展，存储设备朝高速、海量方向发展已经成为一个趋势。目前的高速存储设备主要还是以DDR(Double Data Rate，双倍速率传输模式)内存为存储介质。DDR内存其实也就是DDR SDRAM(Double Data RateSDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

对于存储设备，可以通过总线技术实现互相连接。自PCI(PeripheralComponent Interconnect，外部设备互联)总线出现并替代ISA(Industry StandardArchitecture，工业标准结构)总线以来，PCI成为一个标准总线规范，但随着技术的不断发展，PCI总线也已经成为系统性能提高的瓶颈，需要制定一种新型总线标准。目前正在研发的总线技术标准主要有PCI-X、PCI Express(高速PCI，简称PCIE)、InfiniBand(无限带宽)等。PCI-X与PCI相比，允许连接的单个PCI-X设备自己进行数据交换，断开没有数据交换的PCI-X的连接，以减少总线的等待周期。PCIE，则是采用串行I/O传输技术，允许通过多组信号线来提高传输带宽。PCIE不仅支持印刷电路板用作传输介质，而且能够利用铜缆进行外部扩充，以便于外部连接和增大连接的距离。InfiniBand是一种交换结构I/O技术，是通过中心InfiniBand交换机在各设备之间建立一个单一的连接链路，并由中心InfiniBand交换机来控制。

在对现有技术的研究和实践过程中，发明人发现现有技术存在以下的问题：

在现有技术中已经出现了将以DDR内存为存储介质的高速存储设备使用InfiniBand总线实现连接的方案，但还没有出现基于PCIE总线的连接方案。

发明内容

本发明实施例要解决的技术问题是提供一种存储设备级联方法、存储系统及存储设备，能够实现基于PCIE总线的多个存储设备级联，从而提高系统存储空间。

为解决上述技术问题，本发明所提供的实施例是通过以下技术方案实现的：

本发明实施例提供一种存储设备级联方法，包括至少两个以上存储设备，每个存储设备包括至少两个互连端口，其中：第一存储设备将本设备的其中一个互连端口通过高速外部设备互联PCIE总线转接卡与从控制设备引出的PCIE总线线缆连接；所述第一存储设备将通过所述PCIE总线线缆输入的PCIE信号转换成至少两对以上相同的转换信号，并输出到本设备的其他互连端口；所述第一存储设备将所述本设备的其他互连端口与本设备外的其他存储设备使用PCIE总线线缆进行连接。

本发明实施例提供一种存储系统，包括：存储设备，用于提供存储空间，所述存储设备为至少两个以上，每个存储设备包括至少两个互连端口；控制设备，用于使用高速外部设备互联PCIE总线线缆与存储设备连接；第一存储设备将本设备的其中一个互连端口通过PCIE总线转接卡与从所述控制设备引出的PCIE总线线缆连接，将通过所述PCIE总线线缆输入的PCIE信号转换成至少两对以上相同的转换信号，并输出到本设备的其他互连端口，将所述本设备的其他互连端口与本设备外的其他存储设备使用PCIE总线线缆进行连接。

本发明实施例提供一种存储设备，包括：互连端口单元，含有进行连接的互连端口，所述互连端口为至少两个以上；PCIE转换桥片，用于将输入的PCIE信号转换成至少两对以上相同的转换信号；所述互连端口单元的其中一个互连端口通过PCIE总线转接卡与从控制设备引出的PCIE总线线缆连接；所述PCIE转换桥片将所述转换信号输出到所述互连端口单元的其他互连端口，所述互连端口单元的其他互连端口使用PCIE总线线缆与本设备外的其他存储设备进行连接。