[发明专利]电极板无效
申请号: | 200810097701.6 | 申请日: | 2008-05-20 |
公开(公告)号: | CN101587821A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 庄峻铭;简永杰 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05H1/46;C23C16/44;C23F4/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 红 |
地址: | 台湾省台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极板 | ||
技术领域
本发明有关于一种电极板,特别是有关于一种应用于等离子体薄膜沉积和蚀刻技术的电极板。
背景技术
随着科技的进步与经济的发展,半导体工艺技术日渐成熟,而使得半导体产品的体积越来越小,功能越来越强大。现有的半导体及光电工艺通常包含清洗步骤、加热步骤、光刻步骤、蚀刻步骤、沉积步骤和切割步骤,其中蚀刻步骤和沉积步骤所使用的蚀刻和沉积技术与半导体及光电产品的合格率息息相关,因此,各种的蚀刻和沉积技术陆续被研发出来,而其中等离子体蚀刻技术和等离子体薄膜沉积技术为目前最常使用,也是最受欢迎的技术。然而,在现有的等离子体蚀刻技术和等离子体薄膜沉积技术中,电极板面积的增加或是电源频率的升高,都会增加驻波与干涉形成的机率,造成电场强度分布不均,而导致蚀刻结果或薄膜沉积结果无法达到预期的功效。
请参考图1,其示出了现有等离子体蚀刻技术和等离子体薄膜沉积技术的电极板的电场分布图,其中射频电源Prf是从电极板10侧边引入。由图1可知,基板区域A的电场强度最大,基板区域B的电场强度次之、基板区域C的电场强度最小。该种电场分布不均的情况容易导致等离子体蚀刻过度或蚀刻不足。类似地,电场分布不均也会使得薄膜沉积过度或沉积不足。当等离子体蚀刻和沉积效果无法达到预期的目标时,制作中的半成品可能会因此损坏。
因此,需要一种新的电极板来增加电场的均匀度,以确保蚀刻与沉积结果能达到预期的功效。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种电极板,以使电极板的电场强度分布均匀。
为了实现上述目的,本发明一实施例中提出一种电极板,至少包含导电基板、电源和单个或多个材料层,其中导电基板具有多个基板区域。电源是用以在该导电基板上诱发电场和等离子体。材料层设置在基板区域上。所述材料层具有不同的电导率,以使所述多个基板区域的电场强度相等。
为了实现上述目的,本发明另一实施例中提出一种电极板,包含导电基板和电源,其中电源是用以在导电基板上诱发电场和等离子体,而导电基板具有单个或多个基板区域,每一基板区域具有不同的高度,以使基板区域的电场强度彼此相等。
为了实现上述目的,本发明又一实施例中提出一种电极板,包含电源引入体,第一导电基板和基板,其中电源引入体的末端具有接触部。电源引入体是用以传导一电源。第一导电基板的第一表面的中心处具有第一凹槽,该第一凹槽是用以容纳电源引入体的接触部。基板设置在第一导电基板的第一表面上,其中该基板的一第二表面与第一表面紧密接合,以遮蔽接触部。其中,电源是用以在第一基板上诱发电场和等离子体。
为了实现上述目的,本发明再一实施例中提出一种电极板,包含一基板和一电源,其中该基板的一表面具有一放射状电路,该放射状电路电性连接至电源,并至少包含中心部、多个树状连接部和电源连接部。中心部位于基板表面的中心处。树状连接部电性连接至中心部,其中树状连接部是由表面的中心处向外延伸分布。电源连接部是用以连接电源至中心部,以透过树状连接部来在基板上诱发电场和等离子体。
为了实现上述目的,本发明再一实施例中提出一种电极板,包含基板和电源,其中基板具有多个基板区域,这些基板区域具有多电路图形,其中这些电路图形的电路密度都不相同,以使基板区域的电场强度彼此相等。
为了实现上述目的,本发明再一实施例中提出一种电极板,包含基板和电源,其中基板具有多个基板区域,这些基板区域具有多电路图形,其中这些电路图形的电路密度都不相同,以使基板区域的电场强度彼此相等。其中,每一电路图形具有一导体区块面积,每一电路图形层的导体区块面积都不相同,以使基板区域的电场强度相等。
为了实现上述目的,本发明再一实施例中提出一种电极板,包含基板和电源,其中基板具有多个基板区域,这些基板区域具有多个通透的切槽,以改变每一基板区域的导电面积大小和导电区域的分布情况,可使每一基板区域的电场强度相等。
附图说明
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举一较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
图1是现有等离子体蚀刻技术的电极板的电场分布图;
图2是根据本发明第一实施例的电极板的结构侧视图;
图3是根据本发明第一实施例的电极板的制造方法的流程图;
图4是根据本发明第二实施例的电极板的结构侧视图;
图5是根据本发明第二实施例的电极板的制造方法的流程图;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造