[发明专利]发出辐射的半导体元件及降低其操作电压的方法

权利要求书

1.一种发出辐射的半导体元件，包含：

用以产生辐射的活性层；

p型传导层，该p型传导层形成于该活性层上；

透明传导层，该透明传导层形成于该p型传导层上；与 非故意掺杂欧姆接触层，形成于该p型传导层与该透明传导层之间， 并且该非故意掺杂欧姆接触层的与该透明传导层接触的表面为平坦 面。

2.如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该半导体元 件为发光二极管或为激光二极管。

3.如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该非故 意掺杂欧姆接触层为Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元合金，x值与y值的范 围为0＜x≤1，0≤y≤1，且上述该Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元合金中的 能隙大于活性层的能隙，以此特性降低该非故意掺杂欧姆接触层 的吸光效应。

4.如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该非故 意掺杂欧姆接触层为单一外延成长层，该非故意掺杂欧姆接触层 的厚度范围值为

5.如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该非故 意掺杂欧姆接触层是用以降低该发出辐射的半导体元件的操作电 压。

6.如权利要求1所述的发出辐射的半导体元件，其中，该半导 体元件还包含基板与n型传导层，该n型传导层位于该基板与该 活性层之间，该基板为蓝宝石或为碳化硅，该透明传导层为下列 族群之一或其组合：铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、氧化镍、 镉锡氧化物、ZnO:Al、ZnGa₂O₄、SnO₂:Sb、Ga₂O₃:Sn、AgInO₂:Sn、 In₂O₃:Zn、CuAlO₂、LaCuOS、CuGaO₂与SrCu₂O₂。

7.一种降低发出辐射的半导体元件的操作电压的方法，包含：

提供基板；

于基板上依序形成n型传导层、用以产生辐射的活性层、p型传 导层；

于该p型传导层上依序形成非故意掺杂欧姆接触层以及透明传导 层，其中该非故意掺杂欧姆接触层的与该透明传导层接触的表面 为平坦面，该非故意掺杂欧姆接触层是用以降低该半导体元件的 操作电压。

8.如权利要求7所述的降低发出辐射的半导体元件的操作电压 的方法，其中，该半导体元件为发光二极管或激光二极管。

9.如权利要求7所述的降低发出辐射的半导体元件的操作电压 的方法，其中，该非故意掺杂欧姆接触层为Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元 合金，x值与y值的范围为0＜x≤1，0≤y≤1，且上述该 Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元合金的能隙大于活性层的能隙，以此特性降 低该非故意掺杂欧姆接触层的吸光效应。

10.如权利要求7所述的降低发出辐射的半导体元件的操作电压 的方法，其中，该非故意掺杂欧姆接触层为单一外延成长层，该 非故意掺杂欧姆接触层的厚度范围值为该透明传导 层为下列族群之一或其组合：铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、 氧化镍、镉锡氧化物、ZnO:Al、ZnGa₂O₄、SnO₂:Sb、Ga₂O₃:Sn、 AgInO₂:Sn、In₂O₃:Zn、CuAlO₂、LaCuOS、CuGaO₂与SrCu₂O₂。