[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，其包含如下步骤：

在半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体电路；

在所述半导体衬底上形成包括金属互连和层间电介质的金属互连层，所述金属互连为所述互补金属氧化物半导体电路提供连接；

在所述金属互连层上形成光接收单元；以及

在所述光接收单元上形成透镜型上电极，

其中形成所述透镜型上电极的步骤包括：

在所述光接收单元上沉积电极材料，以形成上电极层；

在所述上电极层上形成微透镜掩模；以及

使用所述微透镜掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述上电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述微透镜掩模的步骤包括：

对所述半导体衬底施加光致抗蚀剂；

图案化所述光致抗蚀剂；以及

对经图案化的光致抗蚀剂执行回流工序。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述上电极层与所述微透镜掩模之间的蚀刻速率约是1∶1。

4.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述上电极层的步骤包括使用与O₂、N₂、Ar和He中的至少一种气体混合的蚀刻气体C_xH_yF_z，其中x、y和z是0或自然数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述透镜型上电极包括透明电极。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

在包括所述透镜型上电极的半导体衬底上形成焊盘掩模；以及

通过使用所述焊盘掩模作为蚀刻掩模来执行蚀刻工序，暴露所述金属互连层的焊盘金属互连。

7.根据权利要求6所述的方法，其中暴露所述焊盘金属互连的步骤包括使用与O₂、N₂和Ar中的至少一种气体混合的蚀刻气体C_xH_yF_z，其中x、y和z是0或自然数。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括在暴露所述焊盘金属互连后，在所述透镜型上电极上形成滤色镜。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述透镜型上电极上形成滤色镜。