[发明专利]有机双极型薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810096637.X | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101267021A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈方中;黄昱仁;廖呈祥;黄维邦;黄伟明 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 双极型 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机双极型薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一N型有源层、一P型有源层、一源极以及一漏极，其特征在于：该有机双极型薄膜晶体管还包括一有机修饰绝缘层设置在该栅绝缘层表面上。
2.如权利要求1所述的有机双极型薄膜晶体管，其特征在于：该P型有源层设置在N型有源层上。
3.如权利要求1所述的有机双极型薄膜晶体管，其特征在于：该有机修饰绝缘层设置在栅绝缘层与N型有源层之间。
4.如权利要求1所述的有机双极型薄膜晶体管，其特征在于：该有机修饰绝缘层的材料可以选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚α甲基苯乙烯、聚乙烯醇或聚乙烯基苯酚等中的一种。
5.一种有机双极型薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该制造方法包括：
形成一栅极以及一栅绝缘层，其中该栅绝缘层覆盖在栅极上；
在该栅绝缘层表面上形成一有机修饰绝缘层；
在该有机修饰绝缘层上形成一N型有源层以及一P型有源层；以及
在有源层上形成一源极以及一漏极。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：利用旋转涂布方式在该栅绝缘层表面上形成该有机修饰绝缘层。
7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：利用热蒸镀法在该有机修饰绝缘层上形成该N型有源层和P型有源层。
8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：该P型有源层设置在N型有源层上。
9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：该有机修饰绝缘层设置在栅绝缘层与有源层之间。
10.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：该有机修饰绝缘层的材料可以选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚α甲基苯乙烯、聚乙烯醇或聚乙烯基苯酚等中的一种。
11.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：利用异质结构(heterostructure)制作该有机双极型薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
