[发明专利]电光陶瓷、其制备的光学元件和它们的用途、以及成像光学

权利要求书

1.一种多晶电光陶瓷，其中至少95wt％的单晶具有立方形焦绿石 或萤石结构，其中在厚度为2mm的样品上所述电光陶瓷在 600nm-800nm的波长区域内的纯透射高于80％，包括具有如下化学计 量的氧化物：

A_2+xB_yD_zE₇，其中

0≤x≤1且0≤y≤2且0≤z≤1.6，以及3x+4y+5z=8，且其中

A是至少一种三价阳离子，选自稀土离子，

B是至少一种四价阳离子，

D是至少一种五价阳离子，和

E是至少一种主要为二价的阴离子。

2.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中至少98wt％的单晶具有 立方形焦绿石或萤石结构。

3.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中A是至少一种选自Y、 Gd、Yb、Lu、Sc和La的三价阳离子。

4.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中B是至少一种选自Ti、 Zr、Hf、Sn和/或Ge的四价阳离子。

5.根据权利要求4所述的电光陶瓷，其中所述四价阳离子是Ti。

6.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中D是至少一种选自Nb 和/或Ta的五价阳离子。

7.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中在厚度为3mm的样品 上所述电光陶瓷在600nm-800nm的波长区域内的纯透射高于80％。

8.根据权利要求1所述的电光陶瓷，具有A₂B₂E₇或A₃DE₇的化 学计量。

9.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中E＝O_1-nS_n且n≤0.5。

10.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中阴离子E的一价阴离 子含量最高达10at％。

11.根据权利要求10所述的电光陶瓷，其中所述一价阴离子包括 选自F、Cl和Br的卤离子。

12.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其特征在于，电光陶瓷在 600nm～800nm的波长范围内的纯透射值与在600nm处的纯透射值之 差最高达10％。

13.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其特征在于，电光陶瓷在 500nm～800nm的波长区域内的纯透射值与在600nm处的纯透射值之 差最高达10％。

14.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中折射率大于或等于1.9， 并且其中阿贝数在10～45之间。

15.根据权利要求14所述的电光陶瓷，其中折射率在2.0～2.7之 间。

16.根据权利要求14所述的电光陶瓷，其中折射率在2.1～2.7之 间。

17.根据权利要求14所述的电光陶瓷，其中阿贝数在10～40之 间。

18.根据权利要求14所述的电光陶瓷，其中阿贝数在12～35之 间。

19.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中它可透过可见光。

20.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中它可透过红外光。

21.根据权利要求1所述的电光陶瓷，其中它可透过可见光以及 红外光。

22.一种折射、透射或衍射光学元件，包括如权利要求1中限定 的电光陶瓷。

23.根据权利要求22所述的光学元件，其特征在于所述光学元件 成形为透镜。

24.一种由至少两种不同的透明材料构成的光学成像系统，其中 至少一个透镜被构造为根据权利要求23所述的光学元件。