[发明专利]具有电压补偿机制的模拟缓冲器有效
| 申请号: | 200810096235.X | 申请日: | 2008-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN101267203A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
| 发明(设计)人: | 陈忠君;白承丘 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;G09G3/36;G05F3/16 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 电压 补偿 机制 模拟 缓冲器 | ||
1.一种具有电压补偿机制的模拟缓冲器,包含:
第一晶体管,包含漏极、源极及栅极,其中该漏极用以接收第一供应电压,该源极用以输出输出电压;
第二晶体管,包含漏极、源极及栅极,其中该漏极用以接收第二供应电压,该源极耦合于该第一晶体管的源极;
第一电容,包含第一端及第二端,其中该第一端耦合于该第一晶体管的栅极;
第二电容,包含第一端及第二端,其中该第一端耦合于该第二晶体管的栅极;
第一开关,包含第一端及第二端,其中该第一端耦合于该第一电容的第二端,所述第一开关的第二端耦合于该第一晶体管的源极;
第二开关,包含第一端及第二端,其中该第一端耦合于该第二电容的第二端,所述第二开关的第二端耦合于该第二晶体管的源极;
第三开关,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收第一参考电压,该第二端耦合于该第一电容的第一端;
第四开关,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收第二参考电压,该第二端耦合于该第二电容的第一端;
第五开关,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收输入电压,该第二端耦合于该第一电容的第二端;以及
第六开关,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收该输入电压,该第二端耦合于该第二电容的第二端;其中该模拟缓冲器根据该第一参考电压及该第二参考电压以执行该输出电压的电压补偿。
2.如权利要求1所述的模拟缓冲器,还包含参考电压产生器,用以产生该第一参考电压及该第二参考电压,该参考电压产生器包含:
第一电流源,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收第三供应电压;
第二电流源,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收第四供应电压;
第一补偿二极管,包含正极端及负极端,其中该正极端耦合于该第一电流源的第二端,该正极端用以输出该第一参考电压;以及
第二补偿二极管,包含正极端及负极端,其中该正极端耦合于该第一补偿二极管的负极端,所述第二补偿二极管的负极端耦合于该第二电流源的第二端,用以输出该第二参考电压。
3.如权利要求1所述的模拟缓冲器,还包含参考电压产生器,用以产生该第一参考电压及该第二参考电压,该参考电压产生器包含:
第一电流源,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收第三供应电压;
第二电流源,包含第一端及第二端,其中该第一端用以接收第四供应电压;
N沟道金属氧化物半导体晶体管,包含漏极、源极及栅极,其中该漏极耦合于该第一电流源的第二端,该栅极耦合于该漏极,该漏极用以输出该第一参考电压;以及
P沟道金属氧化物半导体晶体管,包含漏极、源极及栅极,其中该漏极耦合于该第二电流源的第二端,该栅极耦合于该漏极,该源极耦合于该N沟道金属氧化物半导体晶体管的源极,该漏极用以输出该第二参考电压。
4.如权利要求1所述的模拟缓冲器,其中该第一晶体管为N沟道金属氧化物半导体晶体管,该第二晶体管为P沟道金属氧化物半导体晶体管。
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