[发明专利]溅射薄膜形成方法、电子器件制造方法以及溅射系统有效
| 申请号: | 200810096001.5 | 申请日: | 2008-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN101295631A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
| 发明(设计)人: | 北野尚武;山田直树;角田隆明;山口述夫;小须田求 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/66;C23C14/34 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 溅射 薄膜 形成 方法 电子器件 制造 以及 系统 | ||
1.一种溅射薄膜形成方法,包括步骤:
与薄膜将形成于其上的衬底的表面倾斜地定位目标,以及在薄膜将形成于其上的衬底的表面上形成薄膜,同时相对于与衬底表面垂直的轴旋转衬底;以及
在从薄膜形成开始的预先确定时间终止薄膜的形成,
此时衬底旋转了360度×n+180度+α,其中n是包括0的自然数,并且-10度<α<10度。
2.根据权利要求1的溅射薄膜形成方法,其中α为α=0。
3.一种电子器件制造方法,包括步骤:
与薄膜将形成于其上的衬底的表面倾斜地定位目标,在薄膜将形成于其上的衬底的表面上形成薄膜同时相对于与衬底表面垂直的轴旋转衬底,以及在从薄膜形成开始的预先确定时间终止薄膜形成的第一步骤,此时衬底旋转了360度×n+180度+α,其中n是包括0的自然数,并且-10度<α<10度;
评估在第一步骤中形成的薄膜的第二步骤;以及
根据在第二步骤中评估的条件制造电子器件的第三步骤。
4.根据权利要求3的电子器件制造方法,其中α为α=0。
5.一种溅射系统,被配置成与薄膜将形成于其上的衬底的表面倾斜地定位目标,以及在相对于与衬底表面垂直的轴旋转衬底的同时,在薄膜将形成于其上的衬底的表面上形成薄膜,
该溅射系统包括:
被配置为旋转衬底的旋转驱动单元;
被配置为检测旋转驱动单元的旋转角的旋转角检测单元;以及
控制单元,被配置为当旋转角检测单元检测到从薄膜形成开始的360度×n+180度+α的旋转时,中断薄膜形成操作,其中n是包括0的自然数,并且-10度<α<10度。
6.根据权利要求5的溅射系统,其中α为α=0。
7.一种溅射系统,被配置成与薄膜将形成于其上的衬底的表面倾斜地定位目标,以及在相对于与衬底表面垂直的轴旋转衬底的同时,在薄膜将形成于其上的衬底的表面上形成薄膜,
该溅射系统包括:
被配置为旋转衬底的旋转驱动单元;
被配置为位于目标和衬底之间的挡板;
被配置为驱动挡板打开和关闭的打开和关闭驱动单元;
被配置为检测旋转驱动单元的旋转角的旋转角检测单元;以及
控制单元,被配置为当旋转角检测单元检测到从薄膜形成开始的360度×n+180度+α的旋转时,驱动打开和关闭驱动单元关闭挡板,其中n是包括0的自然数,并且-10度<α<10度。
8.根据权利要求7的溅射系统,其中α为α=0。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





