[发明专利]温度补偿型振荡器无效
| 申请号: | 200810095718.8 | 申请日: | 2003-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN101262202A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 桜井保宏 | 申请(专利权)人: | 西铁城控股株式会社 |
| 主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/32 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 吴丽丽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温度 补偿 振荡器 | ||
1.一种温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于包括:
在封装内,对构成具有振荡电路以及补偿数据存储电路的温度补偿电路的IC芯片和上述振荡电路的振子进行封装,构成振荡器的步骤;
接着上述步骤,将上述封装保持在基准温度,在使上述温度补偿电路的温度补偿功能无效的状态下,调整上述振子以使上述振荡电路的振荡频率成为所希望的振荡频率的步骤;
在上述步骤之后,对上述振子进行气密封安装的步骤;
生成温度补偿数据并将其写入到上述补偿数据存储电路的步骤;
在上述温度补偿数据写入到上述补偿数据存储电路的状态下,使上述温度补偿电路的温度补偿功能有效的步骤。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
在调整上述振子的步骤中,将上述封装保持在基准温度是将上述封装放入恒温箱中进行的。
3.根据权利要求1所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
生成温度补偿数据并将其写入到上述补偿数据存储电路的步骤是将上述封装放入恒温箱中进行的。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
在生成上述温度补偿数据并将其写入到上述补偿数据存储电路的步骤中,将上述封装暴露于多个温度,在该各温度的状态下,测定上述振荡电路的振荡频率,测定与上述希望的振荡频率的差,基于该测定值生成上述温度补偿数据。
5.根据权利要求4所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
将上述封装暴露的多个温度是该振荡器的动作保证温度范围内的适宜的点。
6.根据权利要求5所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
上述动作保证温度范围在负40℃到正100℃之间,上述点是11个点。
7.根据权利要求1至3的任意一项所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
在使上述温度补偿电路的温度补偿功能有效的步骤中,根据特定的选择信息,使温度补偿功能有效。
8.根据权利要求7所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
上述特定的选择信息是根据预先决定的组合的多位的信息。
9.根据权利要求1至3的任意一项所述的温度补偿型振荡器的制造方法,其特征在于:
在调整上述振子的步骤中,预先在上述振子的表面蒸镀金属膜,使共振频率低于基准频率,在该振子表面的电极膜上照射离子束或者进行溅射蚀刻,使该电极膜的质量一点点地减少。
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