[发明专利]存储系统及其编程方法和包括存储系统的计算系统有效
申请号: | 200810095612.8 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101303891A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 张俊镐;崔仁奂;郑云在;尹松虎;芮敬旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C11/56;G11C16/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储系统 及其 编程 方法 包括 计算 系统 | ||
1.一种对多比特闪速存储器件编程的方法,所述多比特闪速存储 器件包括存储单元,每一个存储单元均配置成存储多比特数据,所述 方法包括:
确定待存储到选定存储单元中的数据是否是最低有效位LSB数 据;以及
如果待存储到选定存储单元中的数据不是LSB数据,将所述选 定存储单元中存储的低位数据备份到所述多比特闪速存储器件的备 份存储块中,其中所述备份存储块是所述多比特闪速存储器件的存储 单元阵列中的自由块,
并且如果确定待存储到选定存储单元中的数据是LSB数据,对 待存储到所述选定存储单元中的数据编程,而不进行备份操作。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在将所述低位数据备份到所述备份存储块中之后,对待存储到所 述选定存储块的数据编程。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述闪速存储器件包括从以 下组中选择的存储器件,所述组包括:NAND闪速存储器件、NOR 闪速存储器件、CTF存储器件和相变存储器件。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储单元的每一个均配 置成存储2比特数据。
5.根据权利要求4所述的方法,其中备份到所述备份存储块中的 低位数据是LSB数据。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储单元的每一个均配 置成存储M比特数据,其中M是大于或等于3的整数。
7.根据权利要求6所述的方法,其中备份到所述备份存储器的低 位数据包括来自以下组的全部或至少一个数据比特,所述组包括:第 一数据比特至第M-1数据比特。
8.一种对多比特闪速存储器件编程的方法,所述多比特闪速存储 器件包括存储单元,每一个存储单元均配置成存储多比特数据,所述 方法包括:
对待存储到选定存储单元中的数据编程;
确定待存储到选定存储单元中的数据是否是最低有效位LSB数 据;以及
如果确定待存储到选定存储单元中的数据是LSB数据,将所述 选定存储单元中存储的低位数据备份到所述多比特闪速存储器件的 备份存储块中。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述存储单元的每一个均配 置成存储2比特数据。
10.根据权利要求9所述的方法,其中备份到所述备份存储块中 的低位数据是LSB数据。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述存储单元的每一个均 配置成存储M比特数据,其中M是大于或等于3的整数。
12.根据权利要求11所述的方法,其中备份到所述备份存储器的 低位数据包括来自以下组的全部或至少一个数据比特,所述组包括: 第一数据比特至第M-1数据比特。
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