[发明专利]具光电薄膜晶体管的光学传感器有效
申请号: | 200810095450.8 | 申请日: | 2008-04-23 |
公开(公告)号: | CN101414068A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 庄凯岚;陈英烈 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G06F3/041;G09G3/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 薄膜晶体管 光学 传感器 | ||
1.一种光学传感器,包含:
有源矩阵区域,内含排列成矩阵形式的多个感测像素电路;及
多条扫描线及读取线,位于该有源矩阵区域并相互交叉于该感测像素电路,
其中每一该感测像素电路包含第一读取薄膜晶体管用以读取电荷节点的电压,第二读取薄膜晶体管用以重置该电荷节点至第一重置电压,及光电薄膜晶体管用于当未有物体遮盖时,将该电荷节点放电至第二重置电压,其中该第二重置电压小于该第一重置电压。
2.根据权利要求1所述的光学传感器,还包含扫描驱动器,用以逐一驱动该扫描线。
3.根据权利要求1所述的光学传感器,还包含读取电路,用以分析来自该有源矩阵区域的模拟信号,并将其转换为数字信号。
4.根据权利要求1所述的光学传感器,还包含影样处理电路,用以确认该物体的位置及其图像。
5.根据权利要求1所述的光学传感器,其中上述的第二读取薄膜晶体管是由重置信号所重置。
6.根据权利要求1所述的光学传感器,其中位于目前列的上述第二读取薄膜晶体管是由位于下一列的扫描线所重置。
7.根据权利要求5所述的光学传感器,其中:
该第一读取薄膜晶体管的源漏极之一电性连接至相对应的读取线,其栅极电性连接至相对应的扫描线,其另一源漏极则于该电荷节点电性连接至该第二读取薄膜晶体管及该光电薄膜晶体管;
该第二读取薄膜晶体管的源漏极之一于电荷节点电性连接至该第一读取薄膜晶体管,其栅极电性连接至相对应的该重置信号,其另一源漏极则电性连接至该第一重置电压;及
该光电薄膜晶体管的源漏极之一于该电荷节点电性连接至该第一读取薄膜晶体管及该第二读取薄膜晶体管,其栅极及另一源漏极则电性连接至该第二重置电压。
8.根据权利要求6所述的光学传感器,其中:
该第一读取薄膜晶体管的源漏极之一电性连接至相对应的读取线,其栅极电性连接至相对应的扫描线,其另一源漏极则于该电荷节点电性连接至该第二读取薄膜晶体管及该光电薄膜晶体管;
该第二读取薄膜晶体管的源漏极之一于电荷节点电性连接至该第一读取薄膜晶体管,其栅极电性连接至相对应的该下一列扫描线,其另一源漏极则电性连接至该第一重置电压;及
该光电薄膜晶体管的源漏极之一于该电荷节点电性连接至该第一读取薄膜晶体管及该第二读取薄膜晶体管,其栅极及另一源漏极则电性连接至该第二重置电压。
9.根据权利要求1所述的光学传感器,其中上述电荷节点与该第二重置电压之间具有储存电容。
10.根据权利要求1所述的光学传感器,还包含:
第一基板,于其上形成有该第一读取薄膜晶体管、该第二读取薄膜晶体管及该光电薄膜晶体管;
第二基板;及
光屏蔽层,形成于该第二基板,其中该光屏蔽层相对于该光电薄膜晶体管位置具有开口,该光屏蔽层相对于该第一读取薄膜晶体管、第二读取薄膜晶体管位置则不具有开口。
11.根据权利要求3所述的光学传感器,其中上述的读取电路包含:
多工器,用以连接输入该读取线,通过读取线选择信号,使得其中一个读取线通过该多工器;及
比较器,用以比较该被选到的读取线的模拟信号以及一预设参考信号。
12.根据权利要求3所述的光学传感器,其中上述的读取电路包含:
多工器,用以连接输入该读取线,通过读取线选择信号,使得其中一个读取线通过该多工器;及
模拟至数字转换器,用以将该模拟信号转换为该数字信号。
13.根据权利要求12所述的光学传感器,还包含:
多个缓冲器,位于该有源矩阵区域与该多工器之间。
14.根据权利要求3所述的光学传感器,还包含:
多个积分电路,连接以接收该有源矩阵区域的输出,其中积分电路分别连接至读取线。
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