[发明专利]模块化的晶粒封装结构及其方法有效
申请号: | 200810095281.8 | 申请日: | 2008-05-04 |
公开(公告)号: | CN101572237A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 沈更新 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 嘉 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模块化 晶粒 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,包括:
提供一晶粒容置架,具有多个晶粒容置区,每一所述晶粒容置区之间是以多个线架彼此连接且相邻的每一所述晶粒容置区之间具有一空隙;
提供一晶圆,具有一上表面及一背面,且所述晶圆上配置有多个晶粒且每一所述晶粒的一主动面上具有多个焊盘;
切割所述晶圆以得到所述晶粒;
取放所述晶粒在所述晶粒容置区上,将每一所述晶粒的一背面朝下贴附在每一所述晶粒容置区上;
贴附具有一粘着层的一载板在每一所述晶粒的所述主动面上;
注入一高分子材料,将所述高分子材料形成在所述晶粒容置区的一上表面,且借助每一所述晶粒容置区之间的所述空隙注入以填满每一所述晶粒的四周及包覆所述晶粒容置架以形成一封装体;
剥除所述粘着层及所述载板以曝露出每一所述晶粒的所述主动面;
形成多个图案化的第一保护层在所述晶粒上且曝露出每一所述晶粒的所述主动面上的所述焊盘;
形成多个扇出的图案化的金属线段,每一所述图案化的金属线段与每一所述晶粒的所述主动面的所述焊盘电性连接,且每一所述图案化的金属线段具有向所述晶粒的所述主动面外侧延伸的一扇出结构覆盖于部份所述图案化的第一保护层上;
形成一图案化的第二保护层,以覆盖所述图案化的金属线段,并曝露出所述图案化的金属线段的向每一所述晶粒的所述主动面的外侧延伸的所述扇出结构的部份表面;
形成多个图案化的UBM层,以覆盖在每一所述图案化的金属线段的向外侧延伸的扇出结构的所述部份表面上,且与所述图案化的金属线段电性连接;
形成多个导电元件,将所述导电元件借助所述图案化的UBM层与所述图案化的金属线段电性连接;及
切割所述封装体及所述晶粒容置架的所述线架,以形成多个各自独立的完成封装的晶粒。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述晶粒容置架的所述晶粒容置区是以矩形方式排列。
3.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述晶粒容置架的所述晶粒容置区是利用蚀刻的方式形成。
4.一种模块化的晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,包括:
提供一晶粒容置架,具有多个晶粒容置区,每一所述晶粒容置区之间是以多个线架彼此连接且相邻的每一所述晶粒容置区之间具有一空隙;
提供一晶圆,具有一上表面及一背面,且所述晶圆上配置有多个晶粒且每一所述晶粒上具有多个焊盘;
切割所述晶圆以得到所述晶粒;
取放每一所述晶粒在每一所述晶粒容置区上,将所述晶粒的一背面朝下贴附在所述晶粒容置区上;
贴附具有一粘着层的一载板在每一所述晶粒的一主动面上;
注入一高分子材料,将所述高分子材料形成在所述晶粒容置区的一表面,且借助每一所述晶粒容置区之间的所述空隙注入以填满每一所述晶粒的四周及包覆所述晶粒容置架以形成一封装体;
剥除所述粘着层及所述载板以曝露出每一所述晶粒的所述主动面;
形成多个图案化的第一保护层在所述晶粒上且曝露出每一所述晶粒的所述主动面上的所述焊盘;
形成多个扇出的图案化的金属线段,每一所述图案化的金属线段与每一所述晶粒的所述主动面的所述焊盘电性连接,且每一所述图案化的金属线段具有向所述晶粒的所述主动面外侧延伸的一扇出结构覆盖于部份所述图案化的第一保护层上;
形成一图案化的第二保护层,以覆盖所述图案化的金属线段,并曝露出所述图案化的金属线段的向每一所述晶粒的所述主动面的外侧延伸的所述扇出结构的部份表面;
形成多个图案化的UBM层,以覆盖在每一所述图案化的金属线段的向外侧延伸的扇出结构的所述部份表面上,且与所述图案化的金属线段电性连接;
形成多个导电元件,将所述导电元件借助所述图案化的UBM层电性连接至所述图案化的金属线段;及
切割所述封装体及所述晶粒容置架的所述线架,以形成模块化的多晶粒的封装模块。
5.如权利要求4所述的封装方法,其特征在于,所述晶粒容置架的所述晶粒容置区是以矩形方式排列。
6.如权利要求4所述的封装方法,其特征在于,所述晶粒容置架的所述晶粒容置区是利用蚀刻的方式形成。
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