[发明专利]蚀刻引线框结构

权利要求书

1.一种引线框结构，包括：

由第一薄部分和第一厚部分组成的第一引线框结构部分，其中所述第 一薄部分由第一凹槽部分地限定；以及

由第二薄部分和第二厚部分组成的第二引线框结构部分，其中所述第 二薄部分由第二凹槽部分地限定；

其中所述第一薄部分面对所述第二凹槽，且所述第二薄部分面对所述 第一凹槽。

2.如权利要求1所述的引线框结构，其特征在于，所述第一引线框结 构部分包括一引线，且所述第二引线框结构部分包括一管芯附连焊盘。

3.如权利要求1所述的引线框结构，其特征在于，所述引线框结构含 铜。

4.如权利要求1所述的引线框结构，其特征在于，所述第一薄部分的 厚度小于所述第一厚部分的厚度的50％。

5.如权利要求1所述的引线框结构，其特征在于，所述第二薄部分的 厚度小于所述第二厚部分的厚度的50％。

6.如权利要求1所述的引线框结构，其特征在于，所述第一凹槽和所 述第二凹槽通过蚀刻形成。

7.一种半导体管芯封装，包括：

如权利要求1所述的引线框结构；以及

贴装于所述第二引线框结构部分的半导体管芯。

8.一种半导体管芯封装，包括：

引线框结构，包括：由第一薄部分和第一厚部分组成的第一引线框结 构部分，其中所述第一薄部分由第一凹槽部分地限定，其中所述第一引线 框结构部分是一引线；以及由第二薄部分和第二厚部分组成的第二引线框 结构部分，其中所述第二薄部分由第二凹槽部分地限定，并且其中所述第 二引线框结构部分是一管芯附连焊盘，其中所述第一薄部分面对所述第二 凹槽，且所述第二薄部分面对所述第一凹槽；

位于所述管芯附连焊盘上的半导体管芯；以及

至少在所述引线框结构的一部分和所述半导体管芯周围形成的模制材 料。

9.如权利要求8所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管 芯包括一功率晶体管。

10.如权利要求8所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体 管芯包括一垂直功率晶体管。

11.如权利要求8所述的半导体管芯封装，进一步包括在所述半导体 管芯与所述引线之间形成的引线接合。

12.一种电气组件，包括如权利要求11所述的半导体管芯封装。

13.一种形成引线框结构的方法，所述方法包括`

获得包括第一引线框结构部分和第二引线框结构部分的引线框结构前 驱体；

在所述第一引线框结构部分中形成第一凹槽，籍此所述第一引线框结 构部分此后具有第一厚部分和第一薄部分；

在所述第二引线框结构部分中形成第二凹槽，籍此所述第二引线框结 构部分此后具有第二厚部分和第二薄部分；

其中在已形成的引线框结构中，所述第一薄部分面对所述第二凹槽， 且所述第二薄部分面对所述第一凹槽。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一和第二凹槽通 过蚀刻形成。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一和第二凹槽在 相同的蚀刻过程中形成。

16.如权利要求13所述的方法，进一步包括对所述引线框结构镀膜。

17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一引线框结构部 分包括一引线，且所述第二引线框结构部分包括一管芯附连焊盘。

18.一种形成半导体管芯封装的方法，包括：

根据如权利要求13所述的方法形成引线框结构；以及

将半导体管芯附连到所述第二引线框结构部分。

19.如权利要求18所述的方法，包括：

至少在所述引线框结构的一部分和所述半导体管芯周围形成模制材 料。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述半导体管芯包括一 垂直功率MOSFET。