[发明专利]制造多个半导体器件的方法和设备有效
| 申请号： | 200810095155.2 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101266934A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | B·－H·姜 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;魏军 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 设备 | ||
1.一种用于制造多个半导体器件的方法，所述方法包括：
提供包括多个开口腔体的载体，所述载体包括作为底面部分的引线框和从所述底面部分向上延伸以便限定所述腔体的多个侧壁部分；
在每个腔体内布置至少一个半导体元件，所述引线框支撑所述至少一个半导体元件；
使用封装材料填充多个腔体；以及
通过蚀刻过程移除该载体。
2.如权利要求1所述的方法，其中提供载体包括通过生长侧壁材料形成所述多个侧壁部分。
3.如权利要求2所述的方法，其中通过生长侧壁材料形成所述多个侧壁部分包括电镀工艺。
4.如权利要求1所述的方法，其中提供载体包括选择性地生长侧壁材料至第一高度和第二高度以便形成所述多个侧壁部分，所述第二高度低于所述第一高度，使得使用封装材料填充多个腔体产生通过封装材料连接的被填充的腔体。
5.如权利要求4所述的方法，包括移除该载体之后，分离被填充的腔体。
6.如权利要求1所述的方法，其中提供载体包括将侧壁材料生长至第一高度，并选择性地将该侧壁材料从该第一高度降低至第二高度以便形成所述多个侧壁部分，使得使用封装材料填充多个腔体产生通过封装材料连接的被填充的腔体。
7.如权利要求1所述的方法，其中引线框是铜引线框。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括接触布置在每个腔体中的所述至少一个半导体元件。
9.一种用于制造多个半导体器件的方法，所述方法包括：
提供包括多个开口腔体的载体，所述载体包括作为底面部分的引线框和从所述底面部分向上延伸以便限定所述腔体的多个侧壁部分；
在每个腔体内布置至少一个半导体元件，所述引线框支撑所述至少一个半导体元件；
使用封装材料填充多个腔体，以使得多个邻近的被填充的腔体通过封装材料连接；以及
通过蚀刻过程移除该载体。
10.如权利要求9所述的方法，进一步包括在移除载体之后分离被填充的腔体。
11.如权利要求10所述的方法，其中提供载体包括将侧壁材料通过电镀工艺选择性地生长至第一高度和第二高度以便形成多个侧壁部分，该第二高度低于该第一高度，使得使用封装材料填充多个腔体产生通过封装材料连接的被填充的腔体。
12.如权利要求10所述的方法，其中提供载体包括将侧壁材料生长至第一高度，并选择性地将该侧壁材料从该第一高度降低至第二高度以便形成所述多个侧壁部分，使得使用封装材料填充多个腔体产生通过封装材料连接的被填充的腔体。
13.如权利要求10所述的方法，进一步包括接触布置在每个腔体内的所述至少一个半导体元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
