[发明专利]驱动表面发射半导体激光器的方法、光传输模块和手持电子装置有效

专利信息
申请号: 200810095103.5 申请日: 2008-04-18
公开(公告)号: CN101345394A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 上野修;坂本朗;逆井一宏;中山秀生;村上朱实 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01S5/062;H01S5/18;H04B10/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 驱动 表面 发射 半导体激光器 方法 传输 模块 手持 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种驱动表面发射半导体激光器的方法,该表面发射半导体激光 器包括产生光的有源区域、将该有源区域夹在中间的谐振器结构和向该 有源区域提供电力的驱动电极,该表面发射半导体激光器具有由施加到 所述驱动电极的电压和电流定义的内阻,该方法包括:

向所述驱动电极施加调制信号,该调制信号具有由第一电流值和大 于该第一电流值的第二电流值限定的电流幅度,

所述调制信号位于施加到所述驱动电极的电流增大而所述表面发射 半导体激光器的内阻减小的负斜率区域中,

其中,所述第一电流值小于所述内阻的减小趋于饱和的拐点处的电 流值,

其中,所述第二电流值大于所述内阻的所述拐点处的电流值,

其中,在所述表面发射半导体激光器的内阻和所施加电流之间的关 系曲线上,在所述内阻的值饱和的区域附近作出两条渐近线,所述拐点 被定义为其顶点是渐进线的交点的渐近线夹角等分线与所述内阻的曲线 相交的点。

2.根据权利要求1的驱动方法,其中通过对所述施加的电压和电流 之间的关系求微分来定义该内阻。

3.根据权利要求1的驱动方法,其中所述第一电流值大于所述表面 发射半导体激光器的阈值电流。

4.根据权利要求1的驱动方法,其中所述电流幅度等于或小于2mA。

5.根据权利要求4的驱动方法,其中所述调制信号的频率等于或大 于1GHz。

6.根据权利要求4或5的驱动方法,其中对输出所述调制信号的驱 动电路与所述表面发射半导体激光器的驱动电极进行连接的传输线的距 离等于或小于2mm。

7.根据权利要求6的驱动方法,其中相应于所述第一电流值的第一 内阻大于所述传输线的电阻。

8.根据权利要求1的驱动方法,其中所述第一电流值处的所述内阻 至少是80欧姆。

9.一种光传输模块,该光传输模块包括:

包括表面发射半导体激光器和驱动该表面发射半导体激光器的驱动 电路并通过对该表面发射半导体激光器的驱动来发送光信号的光发送装 置;

传输从该光发送装置发送的所述光信号的光传输介质;和

接收由该光传输介质传输的所述光信号的光接收装置,

所述表面发射半导体激光器包括产生光的有源区域、将该有源区域 夹在中间的谐振器结构和向该有源区域提供电力的驱动电极,该表面发 射半导体激光器具有由施加到所述驱动电极的电压和电流定义的内阻,

所述驱动电路向所述驱动电极施加调制信号,该调制信号具有由第 一电流值和大于该第一电流值的第二电流值限定的电流幅度,并且所述 调制信号位于施加到所述驱动电极的电流增大而所述表面发射半导体激 光器的内阻减小的负斜率区域中,

其中,所述第一电流值小于所述内阻的减小趋于饱和的拐点处的电 流值,

其中,所述第二电流值大于所述内阻的拐点处的电流值,

其中,在所述表面发射半导体激光器的内阻和所施加电流之间的关 系曲线上,在所述内阻的值饱和的区域附近作出两条渐近线,所述拐点 被定义为其顶点是渐进线的交点的渐近线夹角等分线与所述内阻的曲线 相交的点。

10.根据权利要求9的光传输模块,其中所述驱动电路向所述表面 发射半导体激光器提供至少1GHz的调制信号,并且所述调制信号的电 流幅度等于或小于2mA。

11.根据权利要求10的光传输模块,其中连接所述驱动电路与所述 表面发射半导体激光器的驱动电极的传输线的距离等于或小于2mm,并 且所述光传输介质等于或小于30cm。

12.根据权利要求9到11中任一项的光传输模块,其中所述表面发 射半导体激光器输出多模激光光束,并且所述光传输介质是多模光传输 介质。

13.根据权利要求9的光传输模块,其中所述第一电流值处的所述 内阻至少是80欧姆。

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