[发明专利]光学器件和曝光装置有效
| 申请号: | 200810094938.9 | 申请日: | 2008-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN101324685A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
| 发明(设计)人: | 向井厚史;园田慎一郎 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 器件 曝光 装置 | ||
1.一种光学器件,包括:
光源,输出预定波长的光;
第一光学构件,所述预定波长的光穿过该第一光学构件;和
第二光学构件,紧靠所述第一光学构件,且所述预定波长的光穿 过该第二光学构件;其中
所述预定波长是从160nm到500nm,在所述第一光学构件与所述 第二光学构件之间的邻接面上设置接合抑制膜,且所述邻接面中的光 密度为4464W/mm2或更小,其中所述接合抑制膜包括氟化物。
2.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述邻接面中的光密 度为1600W/mm2或更小。
3.根据权利要求2所述的光学器件,其中,所述接合抑制膜的厚 度为所述预定波长的光的波长的1/6或更小。
4.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述接合抑制膜的厚 度为所述预定波长的光的波长的1/12或更小。
5.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件或 所述第二光学构件的端面的光密度为8W/mm2或更小,其中所述光进 入所述端面或从所述端面发射,且所述端面暴露于空气。
6.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第二光学构件包 括光纤和设置在所述光纤与所述第一光学构件之间的第三光学构件, 并且所述光纤和所述第三光学构件彼此熔接。
7.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件和 所述第二光学构件中的至少一个由多个构件组成,且所述多个构件之 间的第二邻接面中的光密度为140W/mm2或更小。
8.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述光的会聚位置是 除所述邻接面中之外的位置。
9.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件和 所述第二光学构件具有比穿过其的光的光束直径大的直径。
10.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 或所述第二光学构件中的一个的端面在与所述预定波长的光的主轴垂 直的方向上倾斜,其中所述光进入该端面且该端面暴露于空气。
11.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 和所述第二光学构件中的至少一个包括石英。
12.根据权利要求5所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 和所述第二光学构件中的至少一个是光纤,且所述预定波长的光的输 出是所述光纤的芯的横截面积×8W/mm2或更大。
13.根据权利要求5所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 和所述第二光学构件中的至少一个是光纤,且所述预定波长的光的输 出是所述光纤的横截面积×8W/mm2或更大。
14.根据权利要求5所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 和所述第二光学构件中的至少一个是光纤,所述预定波长的光的输出 是保持所述光纤的套圈的横截面积×8W/mm2或更大。
15.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 和所述第二光学构件中的至少一个是光纤,且所述预定波长的光的输 出是所述光纤的芯的横截面积×4464W/mm2或更大。
16.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 和所述第二光学构件中的至少一个是光纤,且所述预定波长的光的输 出是所述光纤的横截面积×4464W/mm2或更大。
17.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述第一光学构件 和所述第二光学构件中的至少一个是光纤,且所述预定波长的光的输 出是保持所述光纤的套圈的横截面积×4464W/mm2或更大。
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