[发明专利]发光二极管装置及其装配方法无效

专利信息
申请号: 200810094873.8 申请日: 2008-04-26
公开(公告)号: CN101315170A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 朱德祥 申请(专利权)人: 番禺得意精密电子工业有限公司
主分类号: F21V21/002 分类号: F21V21/002;F21V23/00;F21V23/06;F21Y101/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511458广东省广州市番禺南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置 及其 装配 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管装置,其特征在于,包括:

一电路单元,设有多个导电线路及包覆该导电线路的至少一绝缘层,且每一导电线路由一个绝缘层包覆;以及

至少一发光二极管单元,具有一绝缘基座,一位于该绝缘基座上的发光单元,多组端子,设于该绝缘基座内且与所述发光单元电性连接,且该端子至少一部分延伸出绝缘基座的表面,其中延伸出绝缘基座表面的端子穿过所述电路单元的绝缘层并与绝缘层内的导电线路相导接。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述绝缘层上设有至少一开口,所述每一组端子穿过相应的开口与所述绝缘层内的导电线路相导接。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述每一组端子设有两卡持部,所述每一组端子的两卡持部夹持一导电线路。

4.如权利要求3所述的发光二极管装置,其特征在于:所述每一组端子的卡持部上设有刺破所述绝缘层的尖锐部。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述绝缘基座具有一与所述绝缘层相对的表面,所述表面与所述绝缘层接触。

6.如权利要求5所述的发光二极管装置,其特征在于:所述表面设有至少一凹陷槽,所述电路单元容设于该凹陷槽中。

7.如权利要求5所述的发光二极管装置,其特征在于:所述每一组端子设有两卡持部,且所述卡持部显露于所述表面。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述绝缘基座上设有凹陷槽,所述多组端子在凹陷槽的延伸方向上间隔一定距离设置。

9.一种发光二极管装置的装配方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)提供一电路单元,该电路单元设有至少一绝缘层及包覆在该绝缘层内的多个导电线路,且每一导电线路由一个绝缘层包覆;

(2)提供与所述电路单元相配合的至少一发光二极管单元,该发光二极管单元包括一绝缘基座及位于该绝缘基座上的至少一发光单元及多组端子;

(3)将该绝缘基座内设有的每一组端子穿过所述绝缘层,使每一组端子与所述每一绝缘层内的导电线路接触,以实现发光二极管单元与电路单元之间的电性导接。

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