[发明专利]具有绝缘旁通二极管的太阳能电池接收器有效
| 申请号: | 200810094606.0 | 申请日: | 2008-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN101378086A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
| 发明(设计)人: | 方路 | 申请(专利权)人: | 昂科公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟锐 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 绝缘 旁通 二极管 太阳能电池 接收器 | ||
1.一种用于将太阳能转换成电的设备,其包含:
衬底;
III-V化合物半导体多结太阳能电池,其用于将太阳能转换成电,所述太阳能电池安装在所述衬底上且包含:第一触点,其耦合到所述电池的p极性侧;及第二触点,其耦合到所述电池的n极性侧;
二极管,其位于所述衬底上且包含本体、阳极触点以及阴极触点,所述二极管与所述太阳能电池的所述第一和第二触点并联耦合,以使得所述二极管的所述阳极触点耦合到所述第一触点而所述二极管的所述阴极触点耦合到所述第二触点;
输出端子,其安装在所述衬底上且耦合到所述太阳能电池和所述二极管以用于处理大于10瓦的功率;及
涂层或底涂层,其中所述涂层设置在所述二极管本体的顶部部分上且延伸到所述衬底,且所述涂层包封所述二极管本体、阳极触点以及阴极触点,其中所述底涂层占据所述二极管本体的底部部分与所述衬底之间的所有空间。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述二极管可操作以在所述太阳能电池产生的电压不高于阈值电压的情形下被正向偏压。
3.如权利要求1所述的设备,其中所述底涂层经设置以使得所述二极管与所述衬底之间不存在气隙。
4.如权利要求1所述的设备,其中底涂层经设置以使得所述二极管的所述阳极触点与所述阴极触点之间不存在气隙。
5.如权利要求1所述的设备,其中所述涂层的介电强度高于空气的介电强度。
6.如权利要求1所述的设备,其中所述涂层的导热性高于空气的导热性。
7.如权利要求1所述的设备,其中所述底涂层的介电强度高于空气的介电强度。
8.如权利要求1所述的设备,其中所述底涂层的导热性高于空气的导热性。
9.如权利要求1所述的设备,其包含耦合到所述输出端子的连接器,所述连接器可操作以提供到达一个或一个以上太阳能电池接收器的电连接,所述连接器包含:
两个彼此电绝缘的开孔,一个开孔包含第一电插座而一个开孔包含第二电插座,所述二极管的所述阳极触点和所述第一触点电耦合到所述第一电插座而所述二极管的所述阴极触点和所述第二触点电耦合到所述第二电插座。
10.如权利要求9所述的设备,其中所述连接器安装到所述衬底。
11.如权利要求1所述的设备,其中所述二极管包含肖特基旁通二极管。
12.如权利要求1所述的设备,其中所述第二触点包含设置在所述太阳能电池的所述n极性侧的周边上的导电性材料。
13.如权利要求1所述的太阳能电池接收器,其中所述第二触点包含经设置与所述太阳能电池的所述n极性侧的两个边缘相邻的导电性材料。
14.如权利要求1所述的太阳能电池接收器,其中所述第一触点包含设置在所述太阳能电池的整个p极性侧上的金属层。
15.如权利要求1所述的设备,其包含一个或一个以上线接合,所述一个或一个以上线接合将所述第二触点耦合到所述二极管的所述阴极触点。
16.如权利要求1所述的接收器,其中所述太阳能电池包含至少一个层,所述至少一层包含InGaP、InGaAs或GaAs。
17.如权利要求1所述的太阳能电池接收器,其中所述太阳能电池包含抗反射涂层。
18.如权利要求1所述的太阳能电池接收器,其包含用以将所述太阳能源聚焦在所述太阳能电池上的透镜。
19.如权利要求1所述的太阳能电池接收器,其中所述衬底包含切口,所述切口暴露所述太阳能电池的所述p极性侧的至少一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





