[发明专利]具有微穴的封装构造及其制造方法有效
申请号: | 200810093193.4 | 申请日: | 2008-04-21 |
公开(公告)号: | CN101261965A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 彭胜扬 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L23/10;H01L23/13;H01L21/50;B81B7/00;B81C1/00;H04R31/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 台湾省高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 封装 构造 及其 制造 方法 | ||
术领域
本发明是有关于一种具有微穴的封装构造,更特别有关于一种具有微穴的封装构造,当进行其环形支撑墙的模造制程时,模造材料所产生的气泡空隙可疏导至沟槽。
背景技术
参考图1,其显示一种习知堆栈式半导体封装构造10。该堆栈式半导体封装构造10包含一第一封装构造20(亦即上封装构造)及一第二封装构造30(亦即下封装构造)。
该第一封装构造20包含一第一基板22、一第一芯片24及一第一封胶体26。该第一芯片24是固定于该第一基板22上,且该第一芯片24的主动表面是借助焊线28电性连接于该第一基板22的上表面21的接垫(图未示)。第一封胶体26是用以包覆该第一芯片24及焊线28。
该第二封装构造30包含一第二基板32、一第二芯片34及一第二封胶体36。该第二芯片34是固定于该第二基板32上,且该第二芯片34的主动表面是借助焊线38电性连接于该第二基板32的上表面31的接垫(图未示)。该第二封胶体36是用以包覆该第二芯片34及焊线38。
该第二基板32的上表面31的焊垫35是借助锡球12电性连接于该第一基板22的下表面23的焊垫25,用以在该第一及第二封装构造20、30之间传送信号。
参考图2a及2b,当进行该第二封胶体36的模造制程(molding process)时,为了避免该封胶体36的溢胶污染该焊垫35,该第二基板32设有沟槽37紧邻于该第二封胶体36。详细而言,将一模具40放置于该第二基板32的上表面31上,用以模造该第二封胶体36。该模具40具有一封胶入口42、一方形空穴44及一封胶出口46。当封胶体材料由该封胶入口42灌入,封胶体材料会依模流方向48前进,然后充满整个方形空穴44,最后由该封胶出口46离开。若模流的速度大致上相同,则该封胶体材料不易在该方形空穴44中产生气泡。因此,该第二基板32的沟槽37仅仅用以避免溢胶污染该焊垫35,而非用以减少该封胶体36内形成气泡。
然而,针对具有微穴的封装构造50而言,其环形支撑墙54内较易产生气泡空隙。参考图3,该封装构造50包含一基板52、一环形支撑墙54、一芯片56及一外盖58。该环形支撑墙54是配置于该基板52上,并与该基板52形成了一空穴51。该芯片56是固定于该基板52上,并位于该空穴内51。该外盖58是固定于该些环形支撑墙54上。参考图4a及4b,当进行该环形支撑墙54的模造制程(molding process)时,该模造材料会产生气泡空隙(void)而使该环形支撑墙54内形成气泡空隙。详细而言,将一模具60放置于该基板52上,用以模造该环形支撑墙54。该模具60具有一封胶入口62、一环形空穴64及一封胶出口66。当模造材料由该封胶入口62灌入,模造材料会依模流方向前进,然后充满整个环形空穴64,最后由该封胶出口66离开。若第一模流72与第二模流74的速度不同时,则该模造材料容易在该环形空穴64中产生气泡76。
因此,便有需要提供一种具有微穴的封装构造,能够解决前述的缺点。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种具有微穴的封装构造,当进行其环形支撑墙的模造制程时,模造材料所产生的气泡空隙可疏导至沟槽,以减少该环形支撑墙内形成气泡空隙。
为达上述目的,本发明提供一种具有微穴的封装构造,包含一基板单元、一环形支撑墙、一组件及一外盖。该基板单元的表面上定义有一模造区及一非模造区,并包含至少一沟槽及一组件区域,该沟槽及组件区域皆位于该非模造区,且该沟槽环绕该组件区域。环形支撑墙是配置于该模造区上,并与该基板单元形成了一空穴,其中该沟槽是位于该空穴内,并与该环形支撑墙之间具有一预定距离。该组件是固定于该组件区域上。该外盖是固定于该些环形支撑墙上。
当进行该环形支撑墙的模造制程时,模造材料所产生的气泡空隙可疏导至该沟槽,以减少该环形支撑墙内形成气泡空隙。同时,该模造材料所产生的溢胶亦可疏导至该沟槽,以防止溢胶污染该组件。
为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显,下文将配合所附图示,作详细说明如下。
附图说明
图1为先前技术的堆栈式半导体封装构造的剖面示意图。
图2a及2b为先前技术的堆栈式半导体封装构造的下封装构造的剖面及平面示意图,其显示第二封胶体的模造制程。
图3为先前技术的具有微穴的封装构造的剖面示意图。
图4a及4b为先前技术的具有微穴的封装构造的剖面及平面示意图,其显示环形支撑墙的模造制程。
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