[发明专利]避免降低发光效率的发光芯片封装结构及其制作方法有效
申请号: | 200810093032.5 | 申请日: | 2008-04-15 |
公开(公告)号: | CN101562139A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;巫世裕;吴文逵 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/075 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;吴世华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 避免 降低 发光 效率 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管芯片的封装结构及其制作方法,尤其涉及一种避免降低发光效率的发光芯片封装结构及其制作方法。
背景技术
请参阅图1所示,其为传统发光二极管的第一种封装方法的流程图。由流程图中可知,传统发光二极管的第一种封装方法,其步骤包括:首先在步骤S800,提供多个封装完成的发光二极管(packaged LED);接着在步骤S802,提供条状基板本体(stripped substrate body),其上具有正极导电轨迹(positive electrode trace)与负极导电轨迹(negative electrode trace);最后在步骤S804,依序将每一个封装完成的发光二极管设置在该条状基板本体上,并将每一个封装完成的发光二极管的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹。
请参阅图2所示,其为传统发光二极管的第二种封装方法的流程图。由流程图中可知,传统发光二极管的第二种封装方法,其步骤包括:首先在步骤S900,提供条状基板本体,其上具有正极导电轨迹与负极导电轨迹;接着在步骤S902,依序将多个发光二极管芯片设置于该条状基板本体上,并且将每一个发光二极管芯片的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹;最后在步骤S904,将条状荧光胶体(stripped fluorescent colloid)覆盖于该条状基板本体及上述多个发光二极管芯片上,以形成带有条状发光区域(stripped light-emitting area)的光棒。
然而,关于上述传统发光二极管的第一种封装方法,由于每一个封装完成的发光二极管必须先从一整块发光二极管封装切割下来,然后再以表面贴装技术(SMT)工艺,将每一个封装完成的发光二极管设置于该条状基板本体上,因此无法有效缩短其加工时间,另外,发光时,上述多个封装完成的发光二极管之间会有暗带(dark band)现象存在,对于使用者视线仍然产生不佳的效果。
另外,关于上述传统发光二极管的第二种封装方法,由于所完成的光棒带有条状发光区域,因此第二种封装方法将不会产生暗带的问题。然而,因为该条状荧光胶体被激发的区域不均,因而造成光棒的光效率不佳(亦即,靠近发光二极管芯片的荧光胶体区域会产生较强的激发光源,而远离发光二极管芯片的荧光胶体区域则产生较弱的激发光源)。
另外,传统上均将荧光胶体直接覆盖在发光二极管芯片的表面,因此造成发光二极管芯片所产生的热量直接影响到荧光胶体的品质,进而造成荧光粉发光效率的降低。
所以,由上可知,目前传统的发光二极管的封装结构及其制作方法,显然存在有不便与缺陷,而需加以改善。
发明内容
因此,本发明人认为上述缺陷可改善,且依据多年来从事此方面的相关经验,悉心观察且研究并配合运用科技原理,而提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
本发明所要解决的技术问题,在于提供一种避免降低发光效率的发光芯片封装结构及其制作方法。本发明的发光二极管结构在发光时,形成连续的发光区域,而无亮度不均的情况发生,并且本发明通过芯片直接封装(Chip On Board,COB)工艺并利用压模(die mold)的方式,使得本发明可有效地缩短其加工时间,而能进行大量生产。
此外,本发明的荧光胶体没有直接接触到发光二极管芯片,因此本发明可避免因发光二极管所产生的高温而降低荧光粉发光效率。
另外,本发明的结构设计更适用于各种光源,诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描器光源等应用,均为本发明所应用的范围与产品。
为了解决上述技术问题,根据本发明的其中一种方案,提供一种避免因高温而降低荧光粉发光效率的发光二极管芯片的封装方法,其包括下列步骤:首先,提供基板单元;接着,通过矩阵(matrix)的方式,分别电性设置多个发光二极管芯片于该基板单元上,以形成多排纵向发光二极管芯片排(longitudinal LED chip row);然后,将多条条状透明胶体(stripped transparent colloid)纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极管芯片排上;接下来,将多条条状荧光胶体纵向地分别完全覆盖在每一条条状透明胶体上;最后,沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割所述多个条状透明胶体、所述多个条状荧光胶体及该基板单元,以形成多条光棒,其中每一条光棒具有多个彼此分开地分别覆盖于每一个发光二极管芯片上的透明胶体及多个彼此分开地分别覆盖于每一个透明胶体的荧光胶体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造