[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810092962.9 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101290914A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 中岛启一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;郇春艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体芯片，安装在不具有器件孔的挠性衬底的第一表面之上，
其中，在所述挠性衬底的第二表面之上并且对应于所述半导体芯 片的位置处形成树脂层，所述第二表面与安装半导体芯片的一侧相对，
其中，
所述树脂层为第一树脂层，并且在所述挠性衬底和所述半导体芯 片之间形成第二树脂层，
所述第一树脂层和所述第二树脂层的材料相同，并且
所述第一树脂层和所述第二树脂层的材料是通过进行热处理被固 化的树脂。
2.根据权利要求1的半导体器件，其中
金属、金属氧化物或金刚石粉末作为填充物被混合到所述树脂层 中。
3.根据权利要求1的半导体器件，其中
所述树脂层由分割的多个树脂组成，或由具有一个或多个狭缝的 树脂组成。
4.根据权利要求1的半导体器件，其中
所述树脂层具有已经产生了粗糙度的表面。
5.根据权利要求1的半导体器件，其中
所述第一树脂层的尺寸基本上与所述第二树脂层相同。
6.一种半导体器件的制造方法，包括：
在挠性衬底的第一表面之上安装半导体芯片；
在所述挠性衬底的第二表面之上且在所述半导体芯片的位置处， 通过树脂印刷技术形成树脂层，
其中，
所述树脂层为第一树脂层，并且
所述方法进一步包括：
通过灌封技术在所述半导体芯片和所述挠性衬底之间形成第二树 脂层，
其中，
所述第一树脂层和所述第二树脂层的材料相同，并且
所述第一树脂层和所述第二树脂层的材料是通过进行热处理被固 化的树脂。
7.根据权利要求6的半导体器件的制造方法，其中
金属、金属氧化物或金刚石粉末作为填充物被混合到所述树脂层 中。
8.根据权利要求6的半导体器件的制造方法，进一步包括：
在所述第一树脂层的表面上产生粗糙度。
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