[发明专利]三族氮化合物半导体发光组件的制造方法及其结构

权利要求书

1.一种三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，包括下列步骤：

于一原始基板的表面生长一第一三族氮化合物半导体层；

于该第一三族氮化合物半导体层上形成一图案化的外延阻断层；

于该外延阻断层及无覆盖的该第一三族氮化合物半导体层上生长一第二三族氮化合物半导体层；

移除该外延阻断层；

于该第二三族氮化合物半导体层上生长一第三三族氮化合物半导体层；

于该第三三族氮化合物半导体层上形成一导电材料层；以及

将该第三三族氮化合物半导体层及导电材料层从该第二三族氮化合物半导体层分离。

2.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该外延阻断层为一二氧化硅。

3.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其还包括在该第三三族氮化合物半导体层及该导电材料层之间形成一金属镜面层的步骤。

4.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该导电材料层为利用电镀或复合电镀沉积的铜、镍或钨铜合金。

5.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该原始基板的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氧化镁及砷化镓。

6.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该第二三族氮化合物半导体层为利用湿蚀刻而分解，从而使得该第三三族氮化合物半导体层及该导电材料层的组合体能和该原始基板分离。

7.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其还包括介于该第三三族氮化合物半导体层及该金属镜面层之间形成一N型半导体材料层、一有源层及一P型半导体材料层的步骤。

8.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该图案化的外延阻断层为包含多个凸部及多个介于该多个凸部中间的沟槽。

9.根据权利要求8的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该多个凸部为六角柱体、圆柱体或四方柱体，该多个沟槽分别围绕各该凸部周围。

10.根据权利要求8的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该多个凸部为狭长条状物，该多个沟槽分隔相邻该凸部。

11.根据权利要求3的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其还包括于该导电材料层及该金属镜面层表面施以一蚀刻保护层的步骤。

12.根据权利要求1的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该第二三族氮化合物半导体层为呈香菇状或香菇条状的结构物立设于该第一三族氮化合物半导体层上。

13.根据权利要求12的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该第三三族氮化合物半导体层会自该第二三族氮化合物半导体层的各香菇状结构物两侧横向生长并互相接合。

14.根据权利要求12的三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其中该第三三族氮化合物半导体层可利用控制生长条件而改变该香菇状结构物的形状。

15.一种三族氮化合物半导体发光组件，包括：

一三族氮化合物半导体层；

形成于该三族氮化合物半导体层上的一金属镜面层；以及形成于该金属镜面层上的一导电材料层。

16.根据权利要求15的三族氮化合物半导体发光组件，其中该三族氮化合物半导体层的材料为Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1及0≤y≤1。

17.根据权利要求15的三族氮化合物半导体发光组件，其中该导电材料层为利用电镀或复合电镀沉积的铜、镍或钨铜合金。

18.根据权利要求15的三族氮化合物半导体发光组件，其还包括于该三族氮化合物半导体层及该金属镜面层的间设有一N型半导体材料层、一有源层及一P型半导体材料层。