[发明专利]半导体装置、LED头以及图像形成装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置、LED头(LED head)以及图像形成装置，特别是通过有效散发半导体元件产生的热量，提高了特性与可靠性的半导体装置、LED头以及图像形成装置。

背景技术

半导体元件在工作中发热，或在半导体元件中发热最多的领域为工作领域。例如，若为发光二极管(diode)则在PN连接的附近，或活性层的发光领域成为发热的中心。半导体元件的温度上升，会给半导体装置的特性及可靠性造成不良影响。为避免这一不良影响，需要将半导体元件产生的热能源有效地传导至装置的外部，进行散热。关于该课题，已经公开的相关技术很多，例如专利文献1中，将在蓝宝石(sapphire)基板等的基板上形成的发光二极管连接在即是绝缘体、同时热传导率又极高的钻石(diamond)基板上，将热能源有效地向装置外部传导，进行散热。

专利文献1：日本特开2002-329896号公报

但是，在上述已公开的技术中存在下述必需解决的课题：由于发光领域与钻石基板之间介有蓝宝石基板，主要发热领域与热传导率高的材料相距较远，会降低散热效果。

发明内容

本发明提供一种具有基板和，包含积层在该基板上的半导体元件的半导体薄膜层的半导体装置，其特征在于：所述基板与所述半导体薄膜层之间具有类钻碳层。

另外，在本发明的半导体装置中，所述的基板可以是独立的类钻碳基板。

另外，在本发明的半导体装置中，所述的基板可以是独立的SiC基板。

进一步，本发明还提供了一种LED头，具有半导体装置，其特征在于：该半导体装置备有基板和，包含积层在该基板上的半导体元件的半导体薄膜层，其中，所述基板与所述半导体薄膜层之间具有类钻碳层。

进一步，本发明还提供了一种图像形成装置，具有LED头，其特征在于：该LED头具有半导体装置，该半导体装置备有基板和，包含积层在该基板上的半导体元件的半导体薄膜层，其中，所述基板与所述半导体薄膜层之间具有类钻碳层。

发明效果

由于基板与所述半导体薄膜层之间只有薄薄的类钻碳(Diamond-likeCarbon)层，缩短了活性层与基板的距离，因此提高了由主要发热领域即活性层向热传导率较高的基板导热的效率。这时，由于类钻碳层的层厚较薄，所以不会在厚度方向降低热传导的效率。因此，可以有效地向外部释放半导体元件所产生的热量，防止半导体装置的温度上升，所以可以获得在提高半导体装置的动作特性的同时保持其稳定的动作的效果。

附图说明

图1为实施方式一的半导体装置的斜视图。

图2为实施方式一的半导体装置的断面图。

图3为实施方式一的LED元件的断面图。

图4为实施方式一的LED元件的制造方法说明图(其一)。

图5为实施方式一的LED元件的制造方法说明图(其二)。

图6为实施方式一的LED元件的制造方法说明图(其三)。

图7为实施方式一的LED元件的制造方法说明图(其四)。

图8为实施方式一的LED元件的制造方法说明图(其五)。

图9为实施方式一的LED元件的制造方法说明图(其六)。

图10为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的断面图。

图11为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其一)。

图12为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其二)。

图13为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其三)。

图14为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其四)。

图15为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其五)。

图16为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其六)。

图17为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其七)。

图18为实施方式一的其它形态[1]的LED元件的制造方法说明图(其八)。

图19为实施方式一的其它形态[2]的LED薄膜层的断面图。

图20为实施方式一的其它形态[3]的LED薄膜层的断面图。

图21为实施方式一的其它形态[2]的LED薄膜层的制造方法说明图(其一)。

图22为实施方式一的其它形态[2]的LED薄膜层的制造方法说明图(其二)。